透明的高导电近红外反射ZnO:Ga薄膜的制备及特性研究
摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-11页 |
第一章 前言 | 第11-13页 |
第二章 文献综述 | 第13-40页 |
·透明导电氧化物薄膜的种类及研究现状 | 第14-29页 |
·SnO_2基透明导电薄膜 | 第14-15页 |
·In_2O_3基透明导电薄膜 | 第15-16页 |
·ZnO基透明导电薄膜 | 第16-28页 |
·其它透明导电氧化物薄膜 | 第28-29页 |
·透明导电氧化物薄膜的应用 | 第29-33页 |
·透明电极 | 第29-30页 |
·电磁屏蔽和防静电膜 | 第30-31页 |
·面发热膜 | 第31页 |
·电致变色窗 | 第31-32页 |
·气敏传感器 | 第32页 |
·触摸屏 | 第32-33页 |
·红外隐身材料与热红外反射镜 | 第33页 |
·透明导电氧化物薄膜的制备技术 | 第33-37页 |
·磁控溅射 | 第34页 |
·真空蒸发镀膜 | 第34页 |
·脉冲激光沉积 | 第34-35页 |
·离子镀 | 第35页 |
·化学气相沉积 | 第35-36页 |
·溶胶凝胶 | 第36页 |
·喷雾热解 | 第36页 |
·分子束外延 | 第36-37页 |
·本文的选题依据和研究内容 | 第37-40页 |
第三章 直流反应磁控溅射原理和实验过程 | 第40-50页 |
·直流反应磁控溅射原理 | 第40-45页 |
·辉光放电原理 | 第40-42页 |
·溅射粒子的能量 | 第42-43页 |
·直流反应磁控溅射原理 | 第43-45页 |
·实验过程 | 第45-48页 |
·实验设备 | 第45-46页 |
·靶材的制备 | 第46-47页 |
·衬底及其清洗 | 第47页 |
·薄膜的制备过程 | 第47-48页 |
·性能评价 | 第48-50页 |
第四章 ZnO:Ga薄膜的特性分析 | 第50-102页 |
·Ga含量对ZnO:Ga薄膜特性的影响 | 第50-64页 |
·Ga含量对ZnO:Ga薄膜成分和结构性能的影响 | 第51-55页 |
·Ga含量对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第55-56页 |
·Ga含量对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第56-62页 |
·小结 | 第62-64页 |
·衬底温度对ZnO:Ga薄膜特性的影响 | 第64-73页 |
·衬底温度对ZnO:Ga薄膜结构特性的影响 | 第64-68页 |
·衬底温度对ZnO:Ga薄膜化学特性的影响 | 第68-69页 |
·衬底温度对ZnO:Ga薄膜的电学性能的影响 | 第69-70页 |
·衬底温度对ZnO:Ga薄膜的光学性能的影响 | 第70-72页 |
·小结 | 第72-73页 |
·沉积压强对ZnO:Ga薄膜特性的影响 | 第73-81页 |
·沉积压强对ZnO:Ga薄膜结构性能的影响 | 第73-76页 |
·沉积压强对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第76-77页 |
·沉积压强对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第77-79页 |
·小结 | 第79-81页 |
·氧分压对ZnO:Ga薄膜特性的影响 | 第81-88页 |
·氧分压对znO:Ga薄膜结构性能的影响 | 第81-83页 |
·氧分压对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第83-84页 |
·氧分压对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第84-87页 |
·小结 | 第87-88页 |
·溅射功率对ZnO:Ga薄膜特性的影响 | 第88-96页 |
·溅射功率对ZnO:Ga薄膜结构性能的影响 | 第88-91页 |
·溅射功率对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第91-92页 |
·溅射功率对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第92-94页 |
·小结 | 第94-96页 |
·退火温度对ZnO:Ga薄膜特性的影响 | 第96-102页 |
·退火温度对ZnO:Ga薄膜结构性能的影响 | 第96-97页 |
·退火温度对znO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第97-98页 |
·退火温度对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第98-100页 |
·小结 | 第100-102页 |
第五章 ZnMgO:Ga薄膜的制备及特性分析 | 第102-110页 |
·引言 | 第102页 |
·实验过程 | 第102-103页 |
·Mg含量对ZnMgO:Ga薄膜结构特性的影响 | 第103-105页 |
·Mg含量对ZnMgO:Ga薄膜表面化学态的影响 | 第105-106页 |
·Mg含量对ZnMgO:Ga薄膜电学特性的影响 | 第106-108页 |
·Mg含量对ZnMgO:Ga薄膜光学特性的影响 | 第108-109页 |
·小结 | 第109-110页 |
第六章 结论 | 第110-113页 |
第七章 应用前景与展望 | 第113-115页 |
参考文献 | 第115-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
作者博士期间发表的论文和申请的专利 | 第126-128页 |