| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·磁电阻效应 | 第9-11页 |
| ·正常磁电阻（OMR）效应 | 第9页 |
| ·各向异性磁电阻（AMR）效应 | 第9-10页 |
| ·巨磁电阻（GMR）效应 | 第10-11页 |
| ·隧道磁电阻（TMR）效应 | 第11页 |
| ·研究意义 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 薄膜的制备与分析 | 第14-22页 |
| ·磁控溅射 | 第14-17页 |
| ·磁控溅射原理 | 第14-15页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第15-17页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第17页 |
| ·各向异性磁电阻的测量 | 第17-18页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第18-19页 |
| ·薄膜制备 | 第19-22页 |
| 第三章 坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的研究 | 第22-40页 |
| ·基片温度对 Ni_(81)Fe_(19) 薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 | 第22-27页 |
| ·引言 | 第22页 |
| ·实验方法 | 第22-23页 |
| ·缓冲层厚度对薄膜各相异性磁电阻的影响 | 第23-24页 |
| ·基片温度对薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第24-26页 |
| ·结论 | 第26-27页 |
| ·超薄 Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻及磁性能的研究 | 第27-33页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·实验方法 | 第27-28页 |
| ·缓冲层厚度对薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第28页 |
| ·基片温度对薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第28-30页 |
| ·基片温度对 Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁滞回线的影响 | 第30页 |
| ·基片温度对 Ni_(81)Fe_(19)薄膜结构的影响 | 第30-32页 |
| ·结论 | 第32-33页 |
| ·缓冲层类型对超薄 Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第33-40页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·实验方法 | 第33-34页 |
| ·缓冲层 Cr 含量对 Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第34-35页 |
| ·基片温度对 Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第35-38页 |
| ·缓冲层厚度对 Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第38页 |
| ·缓冲层类型对 Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响 | 第38-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 第四章 总结 | 第40-41页 |
| ·本论文的主要工作 | 第40页 |
| ·今后工作的建议 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第45-46页 |
| 致谢 | 第46页 |
