铌酸锂的铁电畴反转与微结构制备
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-17页 |
| 第一节 铌酸锂晶体 | 第13页 |
| 第二节 铁电性与畴反转 | 第13-15页 |
| 第三节 铌酸锂的应用 | 第15-17页 |
| ·全息光存储 | 第15-16页 |
| ·准相位匹配 | 第16-17页 |
| 第二章 铌酸锂的铁电畴反转 | 第17-29页 |
| 第一节 畴生长动力学 | 第17页 |
| 第二节 畴结构观测技术 | 第17-21页 |
| ·电光调制方法 | 第17-18页 |
| ·氢氟酸腐蚀法 | 第18-19页 |
| ·二次谐波法 | 第19页 |
| ·偏振光检测法 | 第19-21页 |
| 第三节 电致畴反转技术 | 第21-24页 |
| ·周期极化铌酸锂 | 第21-22页 |
| ·Backswitch极化法 | 第22页 |
| ·表面极化法 | 第22-24页 |
| 第四节 光致畴反转技术 | 第24-29页 |
| ·光致畴反转的机理 | 第24-25页 |
| ·光波长与强度对畴反转的影响 | 第25-26页 |
| ·晶体缺陷浓度对光致畴反转的影响 | 第26-27页 |
| ·紫外激光诱导畴反转 | 第27-29页 |
| 第三章 绿光辅助畴反转 | 第29-37页 |
| 第一节 实验设备以及样品 | 第29-30页 |
| 第二节 超低电场光致畴反转 | 第30-32页 |
| ·超低光致电场 | 第30-31页 |
| ·超低电场下的畴生长 | 第31-32页 |
| 第三节 钉扎作用 | 第32-33页 |
| ·钉扎作用的起因 | 第32页 |
| ·钉扎理论 | 第32-33页 |
| ·钉扎作用的观测 | 第33页 |
| 第四节 二维光致畴结构的制备 | 第33-36页 |
| ·光束直写法畴结构制备 | 第33-35页 |
| ·光束相干法畴结构的制备 | 第35-36页 |
| 第五节 有限畴深度 | 第36页 |
| 第六节 小结 | 第36-37页 |
| 第四章 绿光抑制畴反转 | 第37-42页 |
| 第一节 光致畴结构转录机理 | 第37-38页 |
| 第二节 光致畴结构转录 | 第38-41页 |
| ·光致畴结构的不完全转录 | 第38-39页 |
| ·光致畴结构的完全转录 | 第39-40页 |
| ·光致畴结构的反向转录 | 第40-41页 |
| 第三节 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 铁电体畴壁研究 | 第42-56页 |
| 第一节 铁电体畴壁结构 | 第42-43页 |
| 第二节 屏蔽电场的研究 | 第43-47页 |
| ·表面屏蔽电场 | 第43-44页 |
| ·表面竖直屏蔽电场 | 第44-45页 |
| ·表面水平屏蔽电场 | 第45-47页 |
| 第三节 畴壁印迹产生与擦除实验 | 第47-50页 |
| ·实验设备与样品 | 第47页 |
| ·产生与擦除畴壁印迹 | 第47-48页 |
| ·畴壁印迹产生与擦除机理 | 第48页 |
| ·畴壁印迹与晶体缺陷浓度之间的关系 | 第48-50页 |
| 第四节 畴壁的气泡弯曲实验 | 第50-55页 |
| ·实验设备与样品 | 第50页 |
| ·畴壁弯曲过程 | 第50-51页 |
| ·畴壁弯曲机理 | 第51-54页 |
| ·畴壁弯曲的人为控制 | 第54-55页 |
| ·利用畴壁控制表面物质 | 第55页 |
| 第五节 小节 | 第55-56页 |
| 第六章 总结与展望 | 第56-57页 |
| 第一节 全文总结 | 第56页 |
| 第二节 研究工作的展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第64页 |
