嵌入式密勒补偿放大器的研究与设计
| 第1章 绪论 | 第1-12页 |
| ·研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-10页 |
| ·本论文的工作 | 第10-12页 |
| 第2章 运算放大器的设计基础 | 第12-26页 |
| ·MOSFET的伏安工作特性 | 第12-13页 |
| ·NMOS特性 | 第12-13页 |
| ·单级CMOS放大器 | 第13-18页 |
| ·采用电阻负载的共源极放大器 | 第13-14页 |
| ·采用电流源负载的共源极放大器 | 第14-15页 |
| ·共漏级放大器 | 第15-16页 |
| ·共栅极放大器 | 第16-17页 |
| ·共源共栅极 | 第17-18页 |
| ·运放系统稳定性概述 | 第18-22页 |
| ·运算放大器的设计原理 | 第22-26页 |
| ·设计思想 | 第24页 |
| ·性能参数 | 第24-26页 |
| 第3章 运算放大器的分析与设计 | 第26-41页 |
| ·运放系统的总体方案 | 第26-27页 |
| ·输入级的设计 | 第27-29页 |
| ·套筒式共源共栅结构 | 第27-28页 |
| ·折叠式共源共栅结构 | 第28-29页 |
| ·输出级的设计 | 第29-30页 |
| ·偏置电路的设计 | 第30-32页 |
| ·频率补偿的设计 | 第32-39页 |
| ·并联电容补偿 | 第32-33页 |
| ·并联密勒电容补偿 | 第33-35页 |
| ·零极点抵消补偿 | 第35-37页 |
| ·设计中所采用的密勒补偿 | 第37-39页 |
| ·提高运放的电源抑制比 | 第39-41页 |
| 第4章 嵌入式密勒补偿放大器设计与仿真 | 第41-58页 |
| ·本文放大器的设计 | 第41页 |
| ·本文放大器的电路结构 | 第41-43页 |
| ·本文放大器的仿真 | 第43-54页 |
| ·仿真工具及模型 | 第43页 |
| ·放大器的增益及相位 | 第43-45页 |
| ·放大器的电源抑制比(PSRR) | 第45-47页 |
| ·放大器的共模抑制比(CMRR) | 第47-50页 |
| ·放大器的差模输入范围 | 第50页 |
| ·放大器的共模输入范围 | 第50-52页 |
| ·放大器的转换速率和建立时间 | 第52-54页 |
| ·与其它运算放大器的比较 | 第54-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
