| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| §1.1 前言 | 第9-10页 |
| §1.2 文献综述 | 第10-20页 |
| ·直拉硅单晶中氧的基本性质 | 第10-11页 |
| ·氧在硅单晶中的扩散 | 第11-12页 |
| ·氧沉淀对硅材料和器件性能的影响 | 第12-13页 |
| ·硅中的氧沉淀 | 第13-14页 |
| ·氧沉淀的形核长大 | 第14页 |
| ·热处理对氧沉淀的影响 | 第14-15页 |
| ·传统的内吸杂技术 | 第15-16页 |
| ·快速热处理技术的发展和在内吸杂方面的应用 | 第16-20页 |
| ·快速热处理技术的发展 | 第16-17页 |
| ·快速热处理设备的发展 | 第17-18页 |
| ·快速热处理在内吸杂方面的应用 | 第18-20页 |
| §1.3 本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验 | 第21-25页 |
| §2.1 样品制备 | 第21-22页 |
| §2.2 主要实验设备 | 第22-23页 |
| ·快速热处理(RTP)炉 | 第22页 |
| ·金相显微镜 | 第22-23页 |
| ·常规热处理炉 | 第23页 |
| §2.3 缺陷腐蚀 | 第23-25页 |
| 第三章 快速热处理温度对重掺硅片中氧沉淀的影响 | 第25-36页 |
| §3.1 引言 | 第25页 |
| §3.2 实验过程 | 第25-26页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第26-35页 |
| §3.4 小结 | 第35-36页 |
| 第四章 快速热处理时间对重掺硅片中氧沉淀的影响 | 第36-45页 |
| §4.1 引言 | 第36页 |
| §4.2 实验过程 | 第36-37页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第37-44页 |
| §4.4 小结 | 第44-45页 |
| 第五章 快速热处理降温速度对重掺杂硅片中氧沉淀的影响 | 第45-55页 |
| §5.1 引言 | 第45页 |
| §5.2 实验过程 | 第45-46页 |
| §5.3 结果与讨论 | 第46-54页 |
| §5.4 小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第62页 |