| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 1 绪论 | 第12-28页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·相变存储材料 | 第13-19页 |
| ·稀磁半导体 | 第19-23页 |
| ·相变磁性材料 | 第23-25页 |
| ·本文的研究内容及结构安排 | 第25-28页 |
| 2 相变磁性材料的制备 | 第28-55页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·相变磁性材料的基体材料GeTe薄膜制备 | 第29-32页 |
| ·GeTe薄膜的结构特征 | 第32-47页 |
| ·相变磁性材料Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的制备 | 第47-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 3 相变磁性材料相结构和磁性行为 | 第55-79页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·相变磁性材料的相结构 | 第56-66页 |
| ·相变磁性材料的磁性行为 | 第66-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 4 相变磁性材料的磁性起源及相变调控磁性 | 第79-103页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·相变磁性材料Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的电输运特性 | 第80-83页 |
| ·相变磁性材料Ge_(1-x)Fe_xTe薄膜的磁性起源 | 第83-92页 |
| ·相变磁性材料的相变调控磁性 | 第92-100页 |
| ·本章小结 | 第100-103页 |
| 5 相变磁性材料外延薄膜 | 第103-121页 |
| ·引言 | 第103-104页 |
| ·脉冲激光沉积制备外延单晶Ge_(1-x)Fe_xTe相变磁性材料 | 第104-113页 |
| ·MgO单晶衬底上外延α和β相的Ge_(1-x)Fe_xTe相变磁性材料 | 第113-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 6 全文总结 | 第121-126页 |
| ·研究内容总结 | 第121-125页 |
| ·对进一步研究的展望 | 第125-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-138页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第138页 |
