| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 图目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-41页 |
| ·引言—光通信及其市场 | 第11-14页 |
| ·光调制器的研究概况 | 第14-29页 |
| ·光调制的实现方式 | 第14-15页 |
| ·光调制器的分类 | 第15-26页 |
| ·调制器的应用 | 第26-29页 |
| ·光调制器研究的国际国内研究现状 | 第29-33页 |
| ·光调制器研究的国际现状 | 第29-31页 |
| ·光调制器研究的国内现状 | 第31-33页 |
| ·器件性能的比较 | 第33页 |
| ·本研究的目的 | 第33-34页 |
| ·本论文的内容 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-41页 |
| 第二章 电场下量子阱的光学特性分析 | 第41-78页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·调制器的研究概况 | 第41-47页 |
| ·基于量子限制 Stark效应(QCSE)的调制器 | 第42-43页 |
| ·超晶格Wannier-Stark效应调制器 | 第43-44页 |
| ·体材料 Franz-Keldysh效应调制器 | 第44页 |
| ·势垒槽和量子阱电子转移结构的调制器 | 第44-45页 |
| ·带内跃迁调制带间光的量子阱器件 | 第45-46页 |
| ·非线性谐振量子阱调制器 | 第46页 |
| ·量子线与量子点调制器 | 第46-47页 |
| ·量子阱结构电光特性分析的基本理论 | 第47-57页 |
| ·材料参数拟合 | 第47-49页 |
| ·本征能级、波函数的确定 | 第49-53页 |
| ·束缚能的确定 | 第53-54页 |
| ·吸收谱的确定(吸收系数变化理论) | 第54-57页 |
| ·晶格匹配的 InGaAsP量子阱光吸收特性分析 | 第57-67页 |
| ·应变补偿量子阱电光特性分析 | 第67-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 第三章 电吸收调制器光波导设计 | 第78-91页 |
| ·调制器性能评价与光波导设计目标 | 第78-80页 |
| ·光波导设计 | 第80-89页 |
| ·小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 第四章 半导体行波调制器的微波特性分析 | 第91-114页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·行波调制的基本理论 | 第92-93页 |
| ·本实验室已有的工作成果总结 | 第93页 |
| ·背景掺杂的影响 | 第93-97页 |
| ·直线法的基本理论 | 第97-109页 |
| ·数值分析结果 | 第109-112页 |
| ·小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-114页 |
| 第五章 电吸收调制器制作工艺研究 | 第114-127页 |
| ·电吸收调制器用量子阱材料 | 第114-116页 |
| ·电吸收调制器用量子阱材料生长 | 第114-115页 |
| ·量子阱材料 X射线衍射测量 | 第115页 |
| ·吸收光电流谱测量 | 第115-116页 |
| ·电吸收调制器的的制作工艺研究 | 第116-126页 |
| ·器件版图 | 第116-117页 |
| ·器件制作基本工艺原理 | 第117-121页 |
| ·器件制作流程 | 第121-126页 |
| ·小结 | 第126页 |
| 参考文献 | 第126-127页 |
| 第六章 GaAs量子阱材料 Mach-Zehnder调制器制作测试与比较 | 第127-141页 |
| ·Mach-Zehnder调制器的制作与测试结果 | 第127-133页 |
| ·材料生长和特性测量 | 第127-128页 |
| ·Mach-Zehnder干涉型调制器的制作和特性测试 | 第128-131页 |
| ·讨论 | 第131-133页 |
| ·调制器尚待进行的详细测试 | 第133-136页 |
| ·调制器直流特性的测试 | 第133-135页 |
| ·调制器动态特性的测试 | 第135-136页 |
| ·Mach-Zehnder调制器与电吸收调制器的比较 | 第136-139页 |
| ·小结 | 第139-140页 |
| 参考文献 | 第140-141页 |
| 第七章 总结与展望 | 第141-146页 |
| ·总结 | 第141-145页 |
| ·展望 | 第145-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第147页 |
