| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 1 前言 | 第10-12页 |
| 2 文献综述 | 第12-37页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·mc-Si材料生长工艺和基本特点 | 第13-17页 |
| ·晶锭铸造工艺 | 第13-14页 |
| ·新生长工艺研究进展 | 第14-16页 |
| ·mc-Si材料基本特点 | 第16-17页 |
| ·晶界概述 | 第17-24页 |
| ·位错模型 | 第18-19页 |
| ·CSL模型 | 第19-22页 |
| ·晶界类型的显微分析 | 第22-24页 |
| ·半导体材料中的晶界 | 第24-29页 |
| ·半导体材料中晶界的结构 | 第24-25页 |
| ·半导体材料中晶界的电学性质 | 第25-29页 |
| ·mc-Si中的晶界复合 | 第29-33页 |
| ·不同类型晶界的复合特性 | 第29-30页 |
| ·金属杂质对晶界复合的影响 | 第30-33页 |
| ·H钝化对mc-Si中晶界电学性能的改善 | 第33-34页 |
| ·评价以及存在的问题 | 第34-37页 |
| 3 实验方案及设备 | 第37-47页 |
| ·实验方案和实验材料 | 第37-40页 |
| ·实验材料 | 第37-39页 |
| ·实验方案 | 第39-40页 |
| ·实验设备 | 第40-46页 |
| ·EBIC工作原理 | 第42-43页 |
| ·EBIC在半导体材料研究中的应用 | 第43-46页 |
| ·样品制备方法 | 第46-47页 |
| ·EBIC样品制备 | 第46页 |
| ·EBSD样品制备 | 第46页 |
| ·机械化学抛光方法 | 第46页 |
| ·金属沾污方法 | 第46-47页 |
| 4 原生mc-Si中晶界的复合特性 | 第47-64页 |
| ·不同凝固位置mc-Si电学性能的比较 | 第47-53页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·实验结果和讨论 | 第48-53页 |
| ·mc-Si中晶界的类型 | 第53-56页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·实验过程 | 第53页 |
| ·实验结果和讨论 | 第53-56页 |
| ·mc-Si中晶界的本征复合特性 | 第56-63页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·实验过程 | 第57页 |
| ·实验结果和讨论 | 第57-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 5 Fe沾污对mc-Si中晶界复合特性的影响 | 第64-90页 |
| ·Fe沾污对mc-Si中大角度晶界复合特性的影响 | 第64-71页 |
| ·引言 | 第64页 |
| ·实验过程 | 第64-65页 |
| ·实验结果和讨论 | 第65-71页 |
| ·Fe沾污对mc-Si中小角度晶界复合特性的影响 | 第71-76页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·实验过程 | 第71页 |
| ·实验结果和讨论 | 第71-76页 |
| ·晶界晶面指数对mc-Si中晶界复合特性的影响 | 第76-84页 |
| ·引言 | 第76页 |
| ·实验过程 | 第76-77页 |
| ·实验结果 | 第77-82页 |
| ·讨论 | 第82-84页 |
| ·冷却速率对Fe沉淀及其mc-Si中晶界复合特性的影响 | 第84-88页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·实验过程 | 第84页 |
| ·实验结果和讨论 | 第84-88页 |
| ·本章小结 | 第88-90页 |
| 6 其他金属沾污对me-Si晶界复合特性的影响 | 第90-106页 |
| ·Cu沾污对mc-Si中晶界复合特性的影响 | 第90-98页 |
| ·引言 | 第90页 |
| ·实验过程 | 第90-91页 |
| ·实验结果 | 第91-96页 |
| ·讨论 | 第96-98页 |
| ·Cu，Ni和Fe沾污对mc-Si中晶界复合特性的影响的比较 | 第98-104页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·实验过程 | 第99页 |
| ·实验结果 | 第99-102页 |
| ·讨论 | 第102-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 7 氢对mc-Si中晶界的钝化研究 | 第106-115页 |
| ·引言 | 第106页 |
| ·实验过程 | 第106-107页 |
| ·实验结果 | 第107-111页 |
| ·讨论 | 第111-113页 |
| ·本章小结 | 第113-115页 |
| 8 总结 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-126页 |
| 博士期间发表以及待发表论文 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |