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MEMS湿法腐蚀工艺的研究

第一章 绪论——MEMS及其工艺技术第1-13页
 §1-1 MEMS(微电子机械系统)简介第7-8页
 §1-2 MEMS的发展历史第8-9页
 §1-3 加工MEMS的主要工艺第9-11页
  1-3-1 硅基微机械加工技术第9-10页
  1-3-2 非硅基微机械加工技术第10-11页
  1-3-3 发展趋势第11页
 §1-4 本课题研究的意义和创新点第11-13页
第二章 各项异性湿法腐蚀技术及解释模型第13-22页
 §2-1 各项异性腐蚀技术第13-15页
  2-1-1 KOH腐蚀系统第13页
  2-1-2 EPW腐蚀系统第13-14页
  2-1-3 TMAH系统第14页
  2-1-4 三种腐蚀剂的比较第14-15页
 §2-2 腐蚀模型第15-22页
  2-2-1 原子晶格结构腐蚀模型第15页
  2-2-2 活化离子腐蚀模型第15-16页
  2-2-3 能带论和电化学理论为基础的模型第16-17页
  2-2-4 类比晶体生长理论的模型第17-18页
  2-2-5 模型的比较与分析第18-19页
  2-2-6 模型发展展望第19-20页
  2-2-7 补充与发展第20-22页
第三章 腐蚀液的性质第22-30页
 §3-1 溶液的性质第22-24页
  3-1-1 溶液的微观结构第22-24页
  3-1-2 溶液中的涨落第24页
  3-1-3 综合分析第24页
 §3-2 表面活性剂第24-30页
  3-2-1 活性剂的存在状态第24-25页
  3-2-2 表面张力第25-26页
  3-2-3 颗粒的去除第26页
  3-2-4 表面活性剂分散作用原理第26-27页
  3-2-5 亲水-亲油平衡值第27-28页
  3-2-6 常用表面活性剂简介第28-30页
第四章 试验结果分析第30-42页
 §4-1 实验设备与实验第30-31页
  4-1-1 试验设备第30页
  4-1-2 硅片的选择与处理第30-31页
  4-1-3 腐蚀液第31页
 §4-2 表面活性剂的选择第31-32页
 §4-3 溶液pH值对腐蚀的影响第32-34页
 §4-4 KOH腐蚀系统第34-39页
  4-4-1 不同浓度活性剂对硅表面的影响第34-36页
  4-4-2 活性剂影响腐蚀面的分析第36-37页
  4-4-3 KOH溶液浓度对腐蚀面的影响第37-38页
  4-4-4 腐蚀面上小丘的比较第38-39页
 §4-5 双氧水对腐蚀的影响第39-42页
  4-5-1 气泡消失的原因第39-40页
  4-5-2 H_2O_2对腐蚀过程的影响第40-42页
结论第42-43页
参考文献第43-47页
致谢第47-48页
攻读学位期间所取得的相关科研成第48页

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