O2在MgO（100）表面吸附的第一原理分子动力学研究
| 前言 | 第1-9页 |
| 1 综述 | 第9-30页 |
| ·概述 | 第9页 |
| ·CPMD方法的提出 | 第9-10页 |
| ·CPMD程序的起源与发展 | 第10-11页 |
| ·CPMD的应用 | 第11-22页 |
| ·金属氧化物表面与小分子的作用 | 第12-16页 |
| ·氧化铝表面对水的吸附 | 第12-14页 |
| ·二氧化钛(金红石)表面对水的吸附 | 第14-15页 |
| ·氧化镁(100)表面对氨的吸附 | 第15-16页 |
| ·金属表面与小分子的作用 | 第16-20页 |
| ·铜、银与水的接触界面 | 第16-17页 |
| ·金原子团簇对甲醇的吸附 | 第17-18页 |
| ·在Pt(111)表面上进行的CO氧化过程 | 第18-20页 |
| ·非金属表面与小分子的作用 | 第20-22页 |
| ·冰与HCl的作用 | 第20页 |
| ·石墨表面与小分子的作用 | 第20-21页 |
| ·硅表面与氢的作用 | 第21-22页 |
| ·对于氧分子在氧化镁表面上吸附的研究 | 第22-26页 |
| ·氧化镁的结构与用途 | 第22-23页 |
| ·分子氧在MgO(001)表面的吸附 | 第23-24页 |
| ·MgO团簇对氧分子的吸附 | 第24-25页 |
| ·MgO表面氧缺陷和镁缺陷对氧分子的吸附 | 第25-26页 |
| ·本课题的研究目的和意义 | 第26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 2 对计算机集群并行效率的研究 | 第30-46页 |
| ·认识计算机集群 | 第30-39页 |
| ·计算机集群的历史 | 第30-32页 |
| ·计算机集群应用的技术 | 第32-34页 |
| ·计算机集群的可靠性 | 第34-35页 |
| ·计算机集群的优势 | 第35-36页 |
| ·计算机集群的局限 | 第36-37页 |
| ·计算机集群的发展趋势 | 第37-39页 |
| ·国内对计算机集群的研究 | 第39页 |
| ·以计算机集群作为计算平台运行CPMD的意义 | 第39页 |
| ·架设计算机集群 | 第39-41页 |
| ·硬件环境 | 第39-40页 |
| ·软件环境 | 第40-41页 |
| ·操作系统 | 第40页 |
| ·并行环境 | 第40-41页 |
| ·编译器 | 第41页 |
| ·并行计算试验的结果与结论 | 第41-44页 |
| ·小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 3 计算模型 | 第46-53页 |
| ·概述 | 第46页 |
| ·计算方法及模型 | 第46-51页 |
| ·计算环境 | 第46页 |
| ·计算所用方法 | 第46-47页 |
| ·计算参数的选择 | 第47-49页 |
| ·MgO表面的选取 | 第47页 |
| ·O_2位置的确定 | 第47页 |
| ·赝势的确定 | 第47页 |
| ·CUTOFF的选取 | 第47-49页 |
| ·计算所用模型 | 第49-51页 |
| ·氧分子在MgO表面的不同吸附形式 | 第49页 |
| ·氧分子在氧化镁表面上的不同吸附位置 | 第49-50页 |
| ·氧分子在氧化镁表面的最佳吸附距离 | 第50页 |
| ·氧分子在氧化镁表面上的不同吸附率 | 第50-51页 |
| ·先吸附的O_2对后吸附O_2的吸附过程的影响 | 第51页 |
| ·小结 | 第51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 4 计算结果与讨论 | 第53-67页 |
| ·氧分子的不同吸附形式 | 第53-54页 |
| ·氧分子在氧化镁表面的平衡吸附距离 | 第54-55页 |
| ·氧分子在氧化镁表面上的不同吸附位置 | 第55-58页 |
| ·氧分子在氧化镁表面上不同吸附率时的系统能量 | 第58-60页 |
| ·O_2在MgO(100)表面吸附的动态研究 | 第60-65页 |
| ·吸附过程中氧分子键长的变化 | 第61页 |
| ·后吸附的氧分子在氧化镁表面的吸附位置 | 第61-63页 |
| ·B_1，B_2点的情况 | 第62页 |
| ·B_3点的情况 | 第62-63页 |
| ·B_4，B_5，B_6点的情况 | 第63页 |
| ·对弛豫结果的讨论 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 5 结论与展望 | 第67-71页 |
| ·结论 | 第67页 |
| ·展望 | 第67-71页 |
