| 绪论 | 第1-29页 |
| ·前言 | 第9-11页 |
| ·文献综述 | 第11-28页 |
| ·压电效应及其产生机理 | 第11-12页 |
| ·陶瓷的压电性 | 第12-13页 |
| ·掺杂改性 | 第13-18页 |
| ·等价离子的置换 | 第13-15页 |
| ·不等价离子的置换 | 第15-18页 |
| ·复合钙钛矿氧化物与多元系统 | 第18-21页 |
| ·主要工艺方法及特点 | 第21-25页 |
| ·球磨方法 | 第21-22页 |
| ·成型 | 第22页 |
| ·合成工艺 | 第22-25页 |
| ·烧结 | 第25-27页 |
| ·温度和时间 | 第25页 |
| ·组成对烧结的影响 | 第25-26页 |
| ·铅的挥发 | 第26页 |
| ·烧结工艺 | 第26-27页 |
| ·极化工艺 | 第27-28页 |
| ·课题的提出 | 第28-29页 |
| 第二章 实验手段和测试方法 | 第29-37页 |
| ·原料及设备 | 第29-30页 |
| ·实验准备 | 第30-31页 |
| ·PVA粘合剂的配置 | 第30页 |
| ·相关相图 | 第30-31页 |
| ·工艺选取 | 第31-32页 |
| ·性能测试及仪器装置 | 第32-36页 |
| ·相对介电常数及介电损耗 | 第32页 |
| ·压电应变常数 | 第32页 |
| ·机电耦合系数和机械品质因素 | 第32-33页 |
| ·体积密度、吸水率和气孔率 | 第33-34页 |
| ·居里温度 | 第34-35页 |
| ·电滞回线 | 第35-36页 |
| ·显微结构及相组成 | 第36-37页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第37-67页 |
| ·组成对陶瓷材料性能的影响 | 第37-46页 |
| ·一次合成各组成点所在相区的确定的影响 | 第38-39页 |
| ·Zr/Ti和Sr~(2＋),Ba~(2＋)掺杂对材料性能 | 第39-45页 |
| ·Zr/Ti对居里温度T_c的影响 | 第39-40页 |
| ·掺Sr~(2＋)、Ba~(2＋)对居里温度T_c和介电常数ε_3~τ的影响 | 第40-42页 |
| ·组成对介电损耗tanδ和机械品质因数Q_m的影响 | 第42页 |
| ·组成对压电常数d_(33)和机电耦合系数K_p的影响 | 第42-44页 |
| ·PZN-PSN-PMN-PZT系统的电滞回线 | 第44-45页 |
| ·准同型相界(MPB)的确定 | 第45-46页 |
| ·合成工艺对压电陶瓷材料的影响 | 第46-54页 |
| ·二次合成的各组成点所在相区和五元系统相界的确定 | 第49-50页 |
| ·合成工艺对材料性能的影响 | 第50-54页 |
| ·合成工艺对居里温度的影响 | 第50-51页 |
| ·合成工艺对压电常数d_(zz)和机电耦合系数K_p的影响 | 第51-52页 |
| ·合成工艺对机械品质因数Q_m和介电损耗tanδ的影响 | 第52页 |
| ·二次合成对电滞回线的影响 | 第52-54页 |
| ·等静压成型对性能的影响 | 第54-57页 |
| ·烧结温度对材料性能的影响 | 第57-60页 |
| ·烧结温度对干压成型的材料性能的影响 | 第57-59页 |
| ·烧结温度对等静压成型的材料性能的影响 | 第59-60页 |
| ·掺杂对材料性能的影响 | 第60-65页 |
| ·CeO_2的掺入对材料介电温谱的影响 | 第61-62页 |
| ·CeO_2的掺入对材料压电性能和机电性能的影响 | 第62-65页 |
| ·PZN-PSN-PMS-PZT系统压电陶瓷在强场下的损耗 | 第65-67页 |
| 第四章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
