基于LIF技术的功能陶瓷CMP加工过程研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 符号说明 | 第10-11页 |
| 前言 | 第11-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·功能陶瓷材料的发展 | 第13-14页 |
| ·功能陶瓷材料的超精密加工技术 | 第14-19页 |
| ·功能陶瓷材料的加工特征 | 第14-15页 |
| ·超精密加工技术 | 第15-17页 |
| ·功能陶瓷材料的超精密加工技术 | 第17-19页 |
| ·功能陶瓷超精密加工技术的国内外发展现状 | 第19-20页 |
| ·功能陶瓷超精密加工技术的发展趋势 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 化学机械平面抛光技术概述 | 第21-32页 |
| ·化学机械平面抛光技术及其国内外研究成果 | 第21-23页 |
| ·化学机械平面抛光技术 | 第21-22页 |
| ·化学机械平面抛光基础理论的研究成果 | 第22-23页 |
| ·化学机械平面抛光过程的关键因素 | 第23-25页 |
| ·工艺参数的分类 | 第25-27页 |
| ·输出参数 | 第27-28页 |
| ·去除率 | 第27-28页 |
| ·表面质量 | 第28页 |
| ·表面损伤 | 第28页 |
| ·输入参数 | 第28-31页 |
| ·抛光液的化学成分 | 第28-29页 |
| ·抛光液的磨料和流动速度 | 第29页 |
| ·温度和压力 | 第29-30页 |
| ·抛光垫速度和晶片速度 | 第30页 |
| ·抛光垫 | 第30-31页 |
| ·晶片的清洗 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 LIF光学测量技术概述 | 第32-39页 |
| ·LIF光学测量技术 | 第32页 |
| ·LIF光学测量技术的理论基础 | 第32-37页 |
| ·荧光的概念及其分类 | 第33-34页 |
| ·荧光的激发光谱与发射光谱 | 第34页 |
| ·荧光的寿命 | 第34-35页 |
| ·荧光强度与溶液浓度的关系 | 第35页 |
| ·温度对荧光光谱和荧光强度的影响 | 第35-36页 |
| ·pH对荧光光谱和荧光强度的影响 | 第36页 |
| ·散射光对荧光光谱和荧光强度的影响 | 第36-37页 |
| ·LIF光学测量技术的优缺点 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 基于LIF技术的CMP过程研究 | 第39-57页 |
| ·课题背景及研究意义 | 第39-40页 |
| ·实验基础条件 | 第40-41页 |
| ·实验装置的建立 | 第41-47页 |
| ·LIF光学测量技术的实验系统组成 | 第41-44页 |
| ·加工设备 | 第44-45页 |
| ·荧光 | 第45页 |
| ·图像采集装置 | 第45-46页 |
| ·实验装置 | 第46-47页 |
| ·实验验证过程 | 第47-50页 |
| ·实验分析 | 第50-55页 |
| ·抛光液流动和混合情况的研究 | 第50-53页 |
| ·抛光液液膜厚度的研究 | 第53-54页 |
| ·抛光液流温度梯度的研究 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 化学机械平面抛光技术的应用实例 | 第57-66页 |
| ·硅片的抛光 | 第57-59页 |
| ·硅片抛光的条件 | 第58-59页 |
| ·硅片抛光的结果 | 第59页 |
| ·KTP的抛光 | 第59-63页 |
| ·KTP的粘结与加工 | 第60-62页 |
| ·KTP的加工实验分析 | 第62-63页 |
| ·集成电路的CMP | 第63-65页 |
| ·集成电路的CMP实验过程 | 第63-64页 |
| ·集成电路的CMP实验结论 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-71页 |
| ·课题总结 | 第66-67页 |
| ·课题展望 | 第67-71页 |
| ·国内外CMP过程中间变量模型的研究状况 | 第67-69页 |
| ·研究方法 | 第69-70页 |
| ·研究目标 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 研究生期间发表的论文 | 第77-78页 |
| 研究生期间所获奖励 | 第78页 |
