射频磁控溅射沉积薄膜的计算机模拟
| 摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·概述 | 第11-16页 |
| ·材料研究的方法及其发展 | 第11-12页 |
| ·薄膜的应用及制备 | 第12-13页 |
| ·射频磁控溅射镀膜 | 第13-16页 |
| ·溅射镀膜的过程及特点 | 第13-14页 |
| ·射频磁控溅射镀膜的特点 | 第14-15页 |
| ·射频磁控溅射镀膜设备 | 第15-16页 |
| ·射频磁控溅射镀膜的研究现状 | 第16-18页 |
| ·本论文研究的目的、意义、方法及结果 | 第18-22页 |
| ·研究目的和意义 | 第18-19页 |
| ·研究内容及方法 | 第19-20页 |
| ·论文结果 | 第20-22页 |
| 第二章 溅射离子的产生及输运 | 第22-48页 |
| ·等离子体概述 | 第22-24页 |
| ·等离子体的产生及应用 | 第22-23页 |
| ·等离子体内粒子的运动 | 第23-24页 |
| ·射频辉光放电的阴极壳层 | 第24-32页 |
| ·等离子体壳层 | 第24-27页 |
| ·等离子体壳层的形成 | 第24-25页 |
| ·射频辉光放电靶面自偏压 | 第25-27页 |
| ·射频溅射系统中等离子体的电性质 | 第27-32页 |
| ·射频溅射系统的电极布置 | 第27页 |
| ·靶阴极电位、阳极电位和等离子体电位 | 第27-31页 |
| ·壳层长度及电场分布 | 第31-32页 |
| ·离子输运模型的建立 | 第32-41页 |
| ·坐标系约定 | 第32页 |
| ·输入参数 | 第32-34页 |
| ·磁场的影响和被输运离子的产生 | 第34-35页 |
| ·壳层参数的确定 | 第35-36页 |
| ·离子与背景气体分子的相互作用 | 第36-39页 |
| ·离子的输运过程 | 第39-41页 |
| ·离子输运的计算机模拟 | 第41-48页 |
| ·程序的编写 | 第41-43页 |
| ·模拟结果 | 第43-48页 |
| ·离子到达靶面时的位置 | 第43-45页 |
| ·靶面离子能量分布 | 第45页 |
| ·入射离子角度分布 | 第45-48页 |
| 第三章 靶材溅射的模拟 | 第48-63页 |
| ·靶材溅射的机理及模拟方法 | 第48-51页 |
| ·入射离子和靶原子间的相互作用 | 第48-49页 |
| ·靶材的溅射过程 | 第49-50页 |
| ·溅射的计算机模拟方法 | 第50-51页 |
| ·SRIM简介 | 第51-53页 |
| ·模拟结果 | 第53-63页 |
| ·溅射原子的位置分布 | 第54-56页 |
| ·溅射原子的能量分布 | 第56-59页 |
| ·溅射原子的角度分布 | 第59-61页 |
| ·溅射产额的变化规律 | 第61-63页 |
| ·溅射产额随离子能量的变化 | 第61页 |
| ·溅射产额随离子入射角的变化 | 第61-63页 |
| 第四章 溅射原子输运及薄膜沉积过程模拟 | 第63-82页 |
| ·溅射原子的输运 | 第63-71页 |
| ·溅射原子和背景气体分子间的作用势能 | 第63-64页 |
| ·溅射原子和背景气体分子间的碰撞 | 第64-67页 |
| ·背景气体分子的速度 | 第67-68页 |
| ·溅射原子的自由飞行距离 | 第68-70页 |
| ·最大碰撞参数b_(max)的计算 | 第70-71页 |
| ·溅射原子输运过程模拟 | 第71-73页 |
| ·程序的编写 | 第73-75页 |
| ·溅射原子输运模拟结果 | 第75-80页 |
| ·薄膜沉积过程模拟 | 第80-82页 |
| 第五章 总结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
