| 致 谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| 英文摘要 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-19页 |
| 1．1 半导体激光器发展简述 | 第9-11页 |
| 1．2 InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研究进展 | 第11-12页 |
| 1．3 InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研究热点及现状 | 第12-13页 |
| 1．4 980nm大功率应变量子阱激光器的应用 | 第13-17页 |
| 1．4．1 激光二极管泵浦的固体激光器（DPSL） | 第13-14页 |
| 1．4．2 掺铒光纤放大器（EDFA） | 第14-17页 |
| 参考文献 | 第17-19页 |
| 第二章 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的工作机理 | 第19-28页 |
| 2．1 光学端面灾变性毁坏（COD） | 第19-21页 |
| 2．2 电热烧毁 | 第21-22页 |
| 2．3 光束质量 | 第22-24页 |
| 2．4 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的工作机理 | 第24-27页 |
| 参考文献 | 第27-28页 |
| 第三章 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的特性 | 第28-46页 |
| 3．1 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器材料结构外延生长 | 第28-34页 |
| 3．2 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的效率 | 第34页 |
| 3．3 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的阈值增益 | 第34-36页 |
| 3．4 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的PVI特性 | 第36-38页 |
| 3．5 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的光谱 | 第38-39页 |
| 3．6 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器模式分析 | 第39-42页 |
| 3．7 新型隧道级联再生耦合大光腔半导体激光器的问题 | 第42-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 隧道结在新型激光器中的作用及产生的影响 | 第46-63页 |
| 4．1 隧道结及遂穿几率 | 第46-47页 |
| 4．2 GaAs隧道结的制备 | 第47-49页 |
| 4．3 GaAs隧道结的吸收损耗 | 第49-54页 |
| 4．3．1 自由载流子吸收 | 第49-52页 |
| 4．3．2 耗尽层内的吸收 | 第52-54页 |
| 4．4 耗尽层厚度的计算 | 第54-56页 |
| 4．5 隧道结对阈值增益的影响 | 第56-58页 |
| 4．6 隧道结对模式行为的影响 | 第58-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 基模隧道级联耦合大光腔半导体激光器的实现 | 第63-73页 |
| 5．1 采用低Al组分的AlGaAs隧道结减小强场吸收 | 第63-65页 |
| 5．2 减薄隧道结的生长厚度减小自由载流子吸收 | 第65-66页 |
| 5．3 调长有源区激射波长以减小吸收损耗 | 第66-67页 |
| 5．4 采用特殊的波导结构设计 | 第67-69页 |
| 5．5 基模激射隧道级联耦合大光腔半导体激光器的实现 | 第69-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第六章 限制电流扩展，提高输出功率 | 第73-87页 |
| 6．1 限制电流扩展方法简介 | 第73-74页 |
| 6．2 AlAs氧化初探 | 第74-77页 |
| 6．3 利用双面条形电极限制电流扩展 | 第77-82页 |
| 6．4 利用双面条形电极制备的隧道级联耦合半导体激光器 | 第82-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 结语 | 第87-88页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第88页 |
