中文摘要 | 第1-5页 |
第一章 前言 | 第5-11页 |
1.1 高分子材料的研究进展 | 第5-6页 |
1.2 金属有机高分子材料 | 第6页 |
1.3 金属有机高分子磁性材料 | 第6-8页 |
1.4 介电材料及其研究现状 | 第8-10页 |
1.5 本文指导思想 | 第10-11页 |
第二章 实验部分 | 第11-16页 |
2.1 药品及仪器 | 第11-12页 |
2.2 原料合成 | 第12-13页 |
2.2.1 1,1'一二乙酰二茂铁的合成 | 第12页 |
2.2.2 间苯二甲酰肼的合成 | 第12页 |
2.2.3 1,1'一二甲酸二茂铁的合成 | 第12-13页 |
2.2.4 1,1'一二甲酰氯二茂铁的合成 | 第13页 |
2.3 聚合物的合成 | 第13-14页 |
2.3.1 聚1,1'一二乙酰基二茂铁间苯二甲酰腙的合成 | 第13页 |
2.3.2 二乙酰二茂铁酰胺聚合物的合成 | 第13-14页 |
2.3.2.1 1,1'一二乙酰二茂铁邻苯二胺聚合物的合成 | 第14页 |
2.3.2.2 1,1'一二乙酰二茂铁间苯二胺聚合物的合成 | 第14页 |
2.3.2.3 1,1'一二乙酰工茂铁对苯二胺聚合物的合成 | 第14页 |
2.4 含二茂铁的聚合物(聚酰腙,聚酰胺)的过渡金属(Cu,Co,Ni)配合物的合成 | 第14-16页 |
2.4.1 聚间苯二甲酰二茂铁二乙酰腙过渡金属(Cu,Co,Ni)配合物(以A—M表示)的合成 | 第14页 |
2.4.1.1 A—Cu的合成 | 第14页 |
2.4.1.2 A—Co的合成 | 第14页 |
2.4.1.3 A—Ni的合成 | 第14页 |
2.4.2 1,1'一二乙酰二茂铁二胺聚合物(B、C、D)的过滤金属(Cu、Co、Ni)配合物的合成 | 第14-16页 |
2.4.2.1 B—Cu的合成 | 第14-15页 |
2.4.2.2 B—Co的合成 | 第15页 |
2.4.2.3 B—Ni的合成 | 第15页 |
2.4.2.4 C—Cu的合成 | 第15页 |
2.4.2.5 C—Co的合成 | 第15页 |
2.4.2.6 C—Ni的合成 | 第15页 |
2.4.2.7 D—Cu的合成 | 第15页 |
2.4.2.8 D—Co的合成 | 第15页 |
2.4.2.9 D—Ni的合成 | 第15-16页 |
第三章 结果与讨论 | 第16-26页 |
3.1 配位聚合物的一般性质 | 第16页 |
3.2 配位聚合物的结构分析 | 第16-20页 |
3.2.1 A—M(Cu,Co,Ni)的结构分析 | 第16-19页 |
3.2.2 二茂铁聚酰胺金属配合物的结构分析 | 第19-20页 |
3.3 取二乙酰二茂铁酰腙和酰胺的过渡金属(Cu,Co,Ni)配合物的介电性能 | 第20-25页 |
3.3.1 含二茂铁的聚合物及其配合物的介电常数随温度的关系 | 第20-21页 |
3.3.2 含二茂铁的聚合物及其配合物的介电常数和损耗与频率的关系(ε'-f及ε”-f或tgδ-f) | 第21-25页 |
3.3.2.1 聚二茂铁酰腙配合物的介电参数(ε',tgδ)与频率的关系 | 第21-22页 |
3.3.2.2 聚二茂铁酰胺配合物的介电参数(ε',ε”)与频率的关系 | 第22-25页 |
3.4 结论 | 第25-26页 |
参考文献 | 第26-28页 |
致 谢 | 第28-29页 |
附 录 | 第29-38页 |