| 中文摘要 | 第1-9页 |
| 英文摘要 | 第9-14页 |
| 第一章 计算原理和方法 | 第14-44页 |
| §1．1 单电子图象和能带方法 | 第14-18页 |
| 1．1．1 单电子近似 | 第14-17页 |
| 1．1．2 能带方法的简短回顾 | 第17-18页 |
| §1．2 LMTO-ASA方法 | 第18-30页 |
| 1．2．1 LMTO方法 | 第18-27页 |
| 1．2．2 原子球近似（ASA） | 第27-29页 |
| 1．2．3 原胞含多个原子的情形 | 第29-30页 |
| §1．3 电子结构计算方法 | 第30-33页 |
| §1．4 布里渊区的特殊k点 | 第33-40页 |
| 1．4．1 正交、四方、立方晶系的特殊k点 | 第34-36页 |
| 1．4．2 六角晶系的特殊k点 | 第36-40页 |
| §1．5 统计超原胞方法 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 第二章 2nS中铜发光中心的电子结构 | 第44-58页 |
| §2．1 引言 | 第44-45页 |
| §2．2 计算对象及计算细节 | 第45-47页 |
| §2．3 计算结果 | 第47-54页 |
| 2．3．1 硫化锌的电子结构 | 第47页 |
| 2．3．2 氯和铝为共掺杂剂的Cu~（+）发光中心 | 第47-49页 |
| 2．3．3 硫化锌掺杂一价铜的电子结构 | 第49-54页 |
| 2．3．4 硫化锌掺杂二价钢的电子结构 | 第54页 |
| §2．4 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第三章 反位砷的电子结构 | 第58-70页 |
| §3．1 引言 | 第58-59页 |
| §3．2 原子分类和参数设置 | 第59-61页 |
| §3．3 计算结果和结论 | 第61-67页 |
| 3．3．1 带隙态的电子结构 | 第61-64页 |
| 3．3．2 带隙态的键合性质 | 第64页 |
| 3．3．3 反位砷引起的电荷变化 | 第64-67页 |
| §3．4 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第四章 低化学计量比的TiN_（x）的电子结构 | 第70-82页 |
| §4．1 引言 | 第70-71页 |
| §4．2 计算方法 | 第71-73页 |
| §4．3 结果与讨论 | 第73-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 高T_c超导体Ba_（1-x）K_xBiO_3的电子结构 | 第82-96页 |
| §5．1 引言 | 第82-84页 |
| §5．2 计算细节 | 第84-86页 |
| §5．3 结果与讨论 | 第86-93页 |
| 5．3．1 Ba_（1-x）K_xBiO_3中典型有序化合物的电子结构 | 第86-91页 |
| 5．3．2 Ba_（1-x）K_xBiO_3电子结构随钾浓度x的变化 | 第91-93页 |
| §5．4 小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 附录：作者在攻读博士期间发表的论文 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98页 |
