| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 引言 | 第9-23页 |
| ·多孔硅的国内外研究现状 | 第9-17页 |
| ·多孔硅的制备方法与稳定化技术 | 第9-13页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第13-15页 |
| ·多孔硅的理化性质 | 第15-16页 |
| ·多孔硅的研究现状分析 | 第16-17页 |
| ·多孔硅基含能材料的研究现状 | 第17-22页 |
| ·含能材料的发展历程 | 第17-18页 |
| ·含能材料的研究现状 | 第18-19页 |
| ·多孔硅基含能材料的研究现状 | 第19-22页 |
| ·论文研究目的及主要内容 | 第22-23页 |
| 2 实验 | 第23-29页 |
| ·仪器、材料与试剂 | 第23页 |
| ·仪器 | 第23页 |
| ·材料与试剂 | 第23页 |
| ·多孔硅的电化学制备 | 第23-27页 |
| ·制备流程 | 第23-24页 |
| ·单层多孔硅的制备 | 第24-25页 |
| ·多层多孔硅的制备 | 第25-26页 |
| ·多孔硅的稳定化处理 | 第26-27页 |
| ·多孔硅理化性质表征 | 第27-28页 |
| ·多孔硅孔隙率及膜厚的测定 | 第27页 |
| ·多孔硅的结构表征 | 第27-28页 |
| ·多孔硅表面化学组成分析 | 第28页 |
| ·多孔硅/高氯酸钠复合材料的制备及爆炸性能测试 | 第28-29页 |
| ·多孔硅/高氯酸钠复合材料的制备 | 第28页 |
| ·多孔硅/高氯酸钠复合材料的爆炸性能研究 | 第28-29页 |
| 3 结果与讨论 | 第29-48页 |
| ·阳极氧化条件对多孔硅孔隙率及膜厚的影响 | 第29-31页 |
| ·阳极氧化电流密度 | 第29-30页 |
| ·阳极氧化时间 | 第30页 |
| ·氢氟酸浓度 | 第30-31页 |
| ·稳定化处理及制备条件对多孔硅形貌与结构的影响 | 第31-37页 |
| ·稳定化处理前后单层多孔硅的表面及剖面形貌 | 第31-35页 |
| ·多层多孔硅的剖面结构 | 第35-37页 |
| ·多孔硅的表面化学组成 | 第37-39页 |
| ·贮存方法对多孔硅表面化学组成的影响 | 第37-38页 |
| ·稳定化处理前后多孔硅的表面组成变化 | 第38-39页 |
| ·制备条件对单层及多层多孔硅/高氯酸钠复合材料爆炸性能的影响 | 第39-48页 |
| ·多孔硅/高氯酸钠复合材料的爆炸现象 | 第39-40页 |
| ·单层多孔硅/高氯酸钠复合材料的爆炸性能 | 第40-43页 |
| ·多层多孔硅/高氯酸钠复合材料的爆炸性能 | 第43-46页 |
| ·多孔硅/高氯酸钠复合材料爆炸光谱分析 | 第46-47页 |
| ·多孔硅/高氯酸钠复合材料爆炸机理分析 | 第47-48页 |
| 4 结论与展望 | 第48-50页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| ·展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 附录 | 第56-58页 |