摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-24页 |
·自旋电子学概论 | 第11-13页 |
·磁性半导体 | 第13-15页 |
·稀释磁性半导体(DMS)性质 | 第14-15页 |
·纳米材料 | 第15-17页 |
·纳米材料概述 | 第15-16页 |
·纳米材料性质 | 第16-17页 |
·微纳米技术与微纳米加工技术 | 第17-19页 |
·SnO_2的结构与基本性质 | 第19-20页 |
·选题动机 | 第20-21页 |
参考文献 | 第21-24页 |
第二章 理论基础 | 第24-34页 |
·单根纳米线的电学性质 | 第24-27页 |
·场效应管(FET)基本知识概述 | 第24-25页 |
·热发射与热场发射模型 | 第25-27页 |
·稀磁半导体的磁性理论 | 第27-33页 |
·RKKY理论 | 第27页 |
·双交换作用理论(Double Exchange) | 第27-29页 |
·超交换作用理论(Super Exchange) | 第29-30页 |
·束缚磁极化子模型(BMP) | 第30-31页 |
·能带耦合模型(Band Coupling Model) | 第31-33页 |
参考文献 | 第33-34页 |
第三章 样品制备方法与表征手段 | 第34-40页 |
·样品制备方法 | 第34页 |
·场效应管(FET)制备方法 | 第34-36页 |
·样品测试手段 | 第36-39页 |
·X-ray衍射(XRD) | 第36-37页 |
·扫描电镜(SEM) | 第37页 |
·X射线光电子谱(XPS) | 第37-38页 |
·透射电镜(TEM)和选区电子衍射(SAED) | 第38页 |
·超导量子干涉仪(SQUID) | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-40页 |
第四章 样品的形貌与生长机制 | 第40-48页 |
·实验试剂与样品的制备 | 第40页 |
·实验结果与讨论 | 第40-46页 |
·金层厚度对样品形貌的影响 | 第40-41页 |
·氩气流量对样品形貌的影响 | 第41-42页 |
·锰掺杂对形貌的影响 | 第42-43页 |
·氧气流量和生长温度对形貌的影响 | 第43-44页 |
·样品的生长阶段研究 | 第44-46页 |
·小结 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-48页 |
第五章 纳米线输运性质的研究 | 第48-63页 |
·Sn_(1-x)Mn_xO_2一维纳米结构的XRD表征 | 第48页 |
·Sn_(1-x)Mn_xO_2一维纳米结构的微结构表征 | 第48-49页 |
·Sn_(1-x)Mn_xO_2一维纳米结构的XPS表征 | 第49-50页 |
·Sn_(1-x)Mn_xO_2一维纳米结构的PL表征 | 第50-52页 |
·纳米线电性分析 | 第52-58页 |
·黑暗环境下纳米线的电学性质 | 第52-53页 |
·绿光照射下纳米线的电学性能 | 第53-55页 |
·紫外光照射下纳米线的电学性能 | 第55页 |
·栅极电压对纳米线电学性能的影响 | 第55-58页 |
·磁学性能 | 第58-60页 |
·小结 | 第60-61页 |
参考文献 | 第61-63页 |
第六章 结论 | 第63-65页 |
在学期间研究成果 | 第65-66页 |
致谢 | 第66页 |