| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-30页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·InGaAlN的晶体结构、基本参数和能带结构 | 第10-14页 |
| ·InGaAlN的化学性质 | 第14-16页 |
| ·InGaAlN LED薄膜转移技术 | 第16页 |
| ·InGaAlN LED欧姆接触机制 | 第16-19页 |
| ·InGaAlN LED发光机制 | 第19-21页 |
| ·InGaAlN LED中两种应力五种电场与带倾斜及带隙的关系 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 参考文献 | 第24-30页 |
| 第二章 垂直结构InGaAlN MQW LED EL谱中的干涉现象 | 第30-37页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·本章小结 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 硅衬底InGaAlN薄膜衬底剥离转移过程中的应力变化 | 第37-69页 |
| ·硅衬底GaN蓝色发光材料压焊转移前后应力变化 | 第37-46页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| ·自由支撑的InGaAlN MQW LED薄膜性能 | 第46-56页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验 | 第47-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-56页 |
| ·小结 | 第56页 |
| ·InGaAlN薄膜应力状态可控的器件制备技术及其性能 | 第56-65页 |
| ·引言 | 第57-60页 |
| ·实验 | 第60-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 第四章 巨大偏置电流对InGaAlN MQW LED性能的影响 | 第69-97页 |
| ·巨大正向电流对InGaAlN MQW LED芯片性能的影响 | 第69-82页 |
| ·引言 | 第69-70页 |
| ·实验 | 第70-71页 |
| ·结果与讨论 | 第71-81页 |
| ·小结 | 第81-82页 |
| ·反向偏置对InGaAlN MQW LED性能的影响 | 第82-93页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·实验 | 第83-84页 |
| ·结果与讨论 | 第84-92页 |
| ·小结 | 第92-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-97页 |
| 第五章 环境温度对垂直结构InGaAlN MQW LED性能的影响 | 第97-147页 |
| ·高温对上下电极结构InGaAlN MQW LED性能的影响 | 第97-110页 |
| ·引言 | 第97-98页 |
| ·实验 | 第98-99页 |
| ·结果与讨论 | 第99-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| ·垂直结构InGaAlN MQW LED芯片性能的低温变温研究 | 第110-120页 |
| ·引言 | 第110-111页 |
| ·实验 | 第111-112页 |
| ·结果与讨论 | 第112-119页 |
| ·小结 | 第119-120页 |
| ·环境温度对垂直结构InGaAlN MQW LED性生能的影响 | 第120-129页 |
| ·引言 | 第121页 |
| ·实验 | 第121-122页 |
| ·结果与讨论 | 第122-128页 |
| ·小结 | 第128-129页 |
| ·垂直结构InGaAlN MQW LED一种老化现象 | 第129-140页 |
| ·引言 | 第129-130页 |
| ·实验 | 第130-131页 |
| ·结果与讨论 | 第131-139页 |
| ·小结 | 第139-140页 |
| ·本章小结 | 第140-143页 |
| 参考文献 | 第143-147页 |
| 第六章 总结 | 第147-153页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第153-155页 |
| 致谢 | 第155页 |
