| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·国内外研究进展 | 第9-13页 |
| ·GaN材料及器件的研究进展 | 第9-10页 |
| ·GaN材料及器件的低频噪声研究进展 | 第10-13页 |
| ·论文结构 | 第13-14页 |
| 第二章 背景知识 | 第14-26页 |
| ·GaN基材料与器件 | 第14-17页 |
| ·GaN基材料特性 | 第14-15页 |
| ·GaN基器件 | 第15-17页 |
| ·GaN基发光二极管的工艺 | 第17-20页 |
| ·衬底 | 第17-18页 |
| ·GaN晶体的外延生长 | 第18-19页 |
| ·GaN的掺杂技术 | 第19页 |
| ·GaN欧姆接触 | 第19-20页 |
| ·GaN基发光二极管的封装 | 第20页 |
| ·GaN基发光二极管的可靠性研究进展 | 第20-21页 |
| ·半导体器件低频噪声基础 | 第21-26页 |
| ·低频噪声的基本知识 | 第21-24页 |
| ·二极管中的低频噪声 | 第24页 |
| ·低频噪声用于发光二极管的可靠性研究 | 第24-26页 |
| 第三章 GaN基发光二极管低频噪声实验 | 第26-38页 |
| ·GaN基发光二极管的低频噪声测量 | 第26-29页 |
| ·样品信息 | 第26-27页 |
| ·实验测量系统 | 第27-29页 |
| ·辐照实验 | 第29页 |
| ·GaN基发光二极管的低频噪声的测试结果及特性分析 | 第29-31页 |
| ·频率特性 | 第29-30页 |
| ·偏置特性 | 第30-31页 |
| ·实验结果的分析比较 | 第31-34页 |
| ·GaAs基发光二极管中的低频噪声比较 | 第31-33页 |
| ·结果比较分析 | 第33-34页 |
| ·辐照对IV特性和低频噪声的影响 | 第34-37页 |
| ·辐照前后IV特性的变化 | 第34-35页 |
| ·辐照前后低频噪声的变化 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第四章 GaN基发光二极管低频噪声理论研究与应用 | 第38-48页 |
| ·GaN基发光二极管低频噪声的产生机理及模型 | 第38-42页 |
| ·GaN基发光二极管电流输运理论与IV特性 | 第38页 |
| ·GaN基发光二极管低频噪声的产生机理及模型 | 第38-42页 |
| ·GaN基发光二极管γ辐照效应的低频噪声研究 | 第42-45页 |
| ·γ辐照损伤机理 | 第42-43页 |
| ·γ辐照效应的低频噪声研究 | 第43-45页 |
| ·低频噪声与GaN基发光二极管的可靠性 | 第45-48页 |
| ·电参数和噪声参数变化的比较 | 第45-46页 |
| ·探索低频噪声用于GaN基发光二极管的可靠性表征 | 第46-48页 |
| 第五章 结论与展望 | 第48-52页 |
| ·论文结论 | 第48-49页 |
| ·后续研究方向 | 第49页 |
| ·展望 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 作者在读期间的研究成果 | 第60-61页 |