| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| ·研究背景 | 第14-16页 |
| ·a-Si:H/c-Si 异质结特性的国内外研究现状 | 第16-20页 |
| ·论文结构的安排 | 第20-21页 |
| 第二章 界面态对a-Si:H/c-Si 异质结性能的影响 | 第21-49页 |
| ·界面态对光态a-Si:H/(p) c-Si 异质结性能的影响 | 第21-40页 |
| ·界面态对a-Si:H/(p) c-Si 异质结光态I-V 特性的影响 | 第21-34页 |
| ·界面态对不同c-Si 衬底的a-Si:H/c-Si 异质结光态I-V 特性的影响 | 第34-37页 |
| ·界面态对背场效果的影响 | 第37-40页 |
| ·界面缺陷的本征a-Si:H 层钝化 | 第40-48页 |
| ·本征a-Si:H 层的作用 | 第40-44页 |
| ·本征层厚度对a-Si:H/c-Si 异质结性能的影响 | 第44-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第三章 基于扩散电容法的a-Si:H/c-Si 异质结界面态的表征 | 第49-59页 |
| ·扩散电容表达式的理论推导 | 第50-52页 |
| ·扩散电容表征界面态 | 第52页 |
| ·a-Si:H/c-Si 异质结参数对扩散电容的影响 | 第52-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第四章 能带补偿对a-Si:H/c-Si 异质结性能的影响 | 第59-87页 |
| ·能带补偿对a-Si:H/c-Si 异质结光态I-V 特性的影响 | 第59-61页 |
| ·禁带宽度对硅异质结光态I-V 特性的影响 | 第61-68页 |
| ·能带补偿对载流子输运的影响 | 第68-86页 |
| ·能带补偿对光态J-V 曲线的影响 | 第68-79页 |
| ·能带补偿对非晶硅背场效果的影响 | 第79-86页 |
| ·小结 | 第86-87页 |
| 第五章 界面特性对C-V 法表征a-Si:H/c-Si 异质结能带补偿的影响 | 第87-104页 |
| ·界面态对表观内建电势的影响 | 第88-92页 |
| ·界面强反型层对表观内建电势的影响 | 第92-99页 |
| ·理论模型 | 第92-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-99页 |
| ·a-Si:H/c-Si 异质结能带补偿的计算 | 第99-103页 |
| ·小结 | 第103-104页 |
| 结论 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-122页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第122-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 附件 | 第125页 |
