| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO的基本物理参数 | 第12-13页 |
| ·ZnO的光学特性 | 第13-14页 |
| ·p-n特性 | 第14页 |
| ·其他特性 | 第14-15页 |
| ·ZnO的应用 | 第15-16页 |
| ·作为GaN的缓冲层 | 第15页 |
| ·紫外探测器 | 第15页 |
| ·太阳能电池 | 第15页 |
| ·压敏陶瓷 | 第15-16页 |
| ·ZnO发光二极管 | 第16页 |
| ·ZnO薄膜制备方法 | 第16-20页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第16-17页 |
| ·离子注入加热氧化法 | 第17页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第18-19页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第19页 |
| ·溶胶-凝胶法(sol-gel) | 第19-20页 |
| ·喷雾热分解法(Spray Pyrolysis) | 第20页 |
| ·ZnO薄膜的研究现状 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究目的和内容 | 第21-22页 |
| 2 ZnO薄膜的制备及表征方法 | 第22-34页 |
| ·离子注入加热氧化方法制备ZnO纳米团簇 | 第22-24页 |
| ·离子注入的基本原理 | 第22-23页 |
| ·实验设备 | 第23页 |
| ·离子注入工艺参数 | 第23-24页 |
| ·热氧化处理 | 第24页 |
| ·反应磁控溅射技术制备ZnO薄膜 | 第24-27页 |
| ·反应溅射基本原理 | 第24-25页 |
| ·实验设备 | 第25-27页 |
| ·薄膜制备条件 | 第27页 |
| ·薄膜基片的常规化学清洗 | 第27页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第27-34页 |
| ·薄膜微观结构的表征 | 第27-29页 |
| ·薄膜表面形貌的表征 | 第29-31页 |
| ·薄膜化学成:分的表征 | 第31-32页 |
| ·TRIM程序估算离子注入过程 | 第32-34页 |
| 3 离子注入加热氧化法生长ZnO纳米团簇 | 第34-47页 |
| ·生长ZnO纳米团簇的提出 | 第34-35页 |
| ·注入Zn离子后未经氧化的表面分析 | 第35-37页 |
| ·注入Zn离子的计算结果 | 第35-36页 |
| ·注入Zn离子的表面形貌 | 第36页 |
| ·注入Zn离子的微观结构 | 第36-37页 |
| ·注入Zn离子的成分分析 | 第37页 |
| ·注入剂量对ZnO纳米团簇生长行为的影响 | 第37-43页 |
| ·注入剂量对Si基片表面形貌的影响 | 第37-39页 |
| ·注入不同剂量的Si基片表面截面图和表面粗糙度变化 | 第39-40页 |
| ·注入剂量对微观结构的影响 | 第40-43页 |
| ·氧化温度对ZnO纳米团簇生长行为的影响 | 第43-46页 |
| ·ZnO纳米团簇的XRD分析 | 第43-44页 |
| ·ZnO纳米团簇的TEM分析 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 4 离子注入对ZnO薄膜生长的影响 | 第47-55页 |
| ·ZnO薄膜的XRD分析 | 第48-49页 |
| ·ZnO薄膜的表面形貌及粗糙度分析 | 第49-51页 |
| ·ZnO薄膜的微观结构分析 | 第51-52页 |
| ·ZnO薄膜的定量分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 偏压对ZnO薄膜生长的影响 | 第55-65页 |
| ·固定偏压下薄膜的生长行为 | 第56-62页 |
| ·薄膜的形貌分析 | 第56-58页 |
| ·薄膜的粗糙度分析 | 第58-59页 |
| ·薄膜的定量分析 | 第59-61页 |
| ·薄膜的微观结构分析 | 第61-62页 |
| ·不同偏压下薄膜的生长行为 | 第62-64页 |
| ·薄膜的形貌及粗糙度分析 | 第62-64页 |
| ·薄膜的微观结构分析 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |