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半金属材料及拓扑材料的第一性原理研究

中文摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 前言第9-18页
    1 自旋电子学第9页
    2 半金属材料第9-10页
    3 拓扑材料第10-15页
        3.1 拓扑绝缘体第11-13页
        3.2 Weyl半金属第13-15页
    4 本文的研究目的、方法及研究内容第15-18页
        4.1 研究目的和研究方法第15-16页
        4.2 研究内容第16-18页
第二章 理论基础第18-37页
    1 密度泛函理论第18-28页
        1.1 多体薛定谔方程第18-19页
        1.2 平均场理论基本思想第19-21页
        1.3 Hartree-Fork理论第21-23页
        1.4 电子的密度泛函理论第23-28页
    2 对称性与拓扑第28-36页
        2.1 拓扑能带理论第30-34页
        2.2 Weyl半金属第34-36页
    3 本文采用的计算软件包第36-37页
第三章 CsCl结构的XS (X = K, Rb) 的半金属性质研究第37-48页
    1 研究背景第37-38页
    2 计算方法第38页
    3 计算结果与讨论第38-45页
        3.1 CsCl结构的RbS和KS的电子结构和磁性质第38-41页
        3.2 RbS和KS的 (111) 面的性质第41-45页
    4 表面稳定性第45-47页
    5 小结第47-48页
第四章 双钙钛矿Sr_2XMoO_6(X = Ge, Si) 的半金属性及热力学性质研究第48-60页
    1 研究背景第48-49页
    2 结构与计算方法第49页
    3 结果与讨论第49-53页
        3.1 LSDA算法的电子结构第49-51页
        3.2 LSDA+U算法的电子结构第51-53页
    4 热力学性质第53-59页
        4.1 准谐Debye模型第53-56页
        4.2 热力学性质的结果和讨论第56-59页
    5 小结第59-60页
第五章 三维拓扑绝缘体Bi_2OSe_2第60-71页
    1 背景介绍第60页
    2 晶体结构与计算方法第60-63页
    3 体电子结构第63-70页
    4 拓扑表面态第70页
    5 小结第70-71页
第六章 Weyl半金属NbIrTe_4第71-84页
    1 研究背景第71-72页
    2 计算方法第72-73页
    3 结果与讨论第73-83页
        3.1 电子结构第73-83页
        3.2 表面态与费米弧第83页
    4 小结第83-84页
第七章 结论与展望第84-87页
    1 工作总结第84-85页
    2 工作展望第85-87页
参考文献第87-95页
论文发表情况第95-96页
致谢第96页

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