| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·研究背景 | 第8-12页 |
| ·Flash的由来及其发展现状 | 第8-10页 |
| ·Flash发展面临的挑战 | 第10-12页 |
| ·纳米晶存储技术及其进展 | 第12-14页 |
| ·本文组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 纳米晶存储器改进方法 | 第15-25页 |
| ·不同材料的纳米晶 | 第16-18页 |
| ·半导体纳米晶 | 第16-17页 |
| ·金属纳米晶 | 第17-18页 |
| ·化合物纳米晶 | 第18页 |
| ·异质纳米晶 | 第18页 |
| ·多层纳米晶堆叠 | 第18页 |
| ·HIGH-κ介质及介质层堆叠对纳米晶存储器的作用 | 第18-23页 |
| ·high-κ介质及其作用 | 第18-21页 |
| ·介质层堆叠 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 纳米晶存储器工作机制探讨 | 第25-36页 |
| ·电荷存储机制 | 第25-26页 |
| ·电荷运输机制 | 第26-31页 |
| ·FN隧穿 | 第27-28页 |
| ·沟道热电子注入 | 第28-29页 |
| ·直接隧穿 | 第29-31页 |
| ·电荷保持性能分析 | 第31-33页 |
| ·纳米晶对存储特性的影响 | 第33-34页 |
| ·隧穿介质层对存储特性的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 金属纳米晶的制备与测试 | 第36-52页 |
| ·实验制备 | 第36-43页 |
| ·金属纳米晶的相关背景 | 第36-38页 |
| ·金属纳米晶的制备 | 第38-42页 |
| ·金属纳米晶MOS结构的制备 | 第42-43页 |
| ·测试结果与分析 | 第43-51页 |
| ·几种电荷存储技术测试方法 | 第43-48页 |
| ·测试结果讨论 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 发表论文 | 第62页 |