摘要 | 第1-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第1章 绪论 | 第9-24页 |
·碳纳米管的研究进展 | 第9-11页 |
·碳纳米管场发射性能的国内外研究现状 | 第11-19页 |
·实验基础上碳纳米管场发射性能研究 | 第11-14页 |
·理论基础上碳纳米管场发射性能研究 | 第14-19页 |
·碳纳米管场发射显示器的研究现状 | 第19-22页 |
·本文研究内容及创新点 | 第22-24页 |
第2章 碳纳米管场发射机理及影响因素分析 | 第24-34页 |
·碳纳米管(CNTS)的场发射机理 | 第24-27页 |
·局部电场增强机制 | 第25-26页 |
·缺陷发射机制 | 第26-27页 |
·F-N(FOWLER-NORDHEIM)理论模型 | 第27-29页 |
·影响碳纳米管(CNTS)场发射性能的因素及改善途径 | 第29-32页 |
·碳纳米管(CNTS)场发射特性的研究方法 | 第32-34页 |
·透明阳极法 | 第32页 |
·探针法 | 第32-34页 |
第3章 模板法制备碳纳米管阵列及其改进 | 第34-48页 |
·碳纳米管阵列制备方法 | 第34-38页 |
·氧化铝模板法制备定向碳纳米管阵列 | 第38-42页 |
·氧化铝模板的形成机理 | 第39页 |
·氧化铝模板的制备过程 | 第39-41页 |
·氧化铝模板制备过程影响因素 | 第41-42页 |
·氧化铝模板负载催化剂 | 第42页 |
·CVD法制备定向生长的碳纳米管阵列 | 第42页 |
·氧化铝模板法制备碳纳米管阵列场发射性能研究 | 第42-45页 |
·以聚合物为载体氧化铝模板法制备定向碳纳米管阵列 | 第45-48页 |
第4章 碳纳米管阵列场发射性能的模拟计算 | 第48-63页 |
·碳纳米管六角密排阵列场发射性能的计算 | 第48-52页 |
·碳纳米管六角密排阵列模型的建立 | 第48-49页 |
·电势及电场计算 | 第49-50页 |
·碳纳米管六角密排阵列的场发射性能研究 | 第50-52页 |
·碳纳米管四角排列阵列场发射性能的计算 | 第52-56页 |
·碳纳米管四角阵列模型的建立及计算 | 第52-54页 |
·碳纳米管四角排列阵列的场发射性能研究 | 第54-56页 |
·有机质填充碳纳米管阵列的场发射性能研究 | 第56-61页 |
·填充机理 | 第56页 |
·管半径、管间距及排列形状对阵列密度的影响 | 第56-58页 |
·阵列密度对场增强因子的影响 | 第58-60页 |
·有机质填充碳纳米管阵列的计算 | 第60-61页 |
·结果讨论及分析 | 第61-63页 |
结论 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
附录 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第71页 |