| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号说明 | 第11-12页 |
| 第1章 分子自旋电子学 | 第12-27页 |
| 1.1 分子自旋电子学的研究概况 | 第12-15页 |
| 1.2 分子器件的研究方法 | 第15-21页 |
| 1.2.1 分子器件的实验测量技术 | 第15-20页 |
| 1.2.2 分子器件的理论研究方法 | 第20-21页 |
| 1.3 几类典型的功能型分子器件 | 第21-25页 |
| 1.3.1 分子开关 | 第21-22页 |
| 1.3.2 分子整流器 | 第22-23页 |
| 1.3.3 负微分电阻器件 | 第23-24页 |
| 1.3.4 自旋过滤器 | 第24页 |
| 1.3.5 分子场效应管 | 第24-25页 |
| 1.4 本论文的研究动机和内容 | 第25-27页 |
| 第2章 分子器件电子输运性质的理论研究方法 | 第27-42页 |
| 2.1 电子密度泛函理论 | 第27-33页 |
| 2.1.1 量子力学基本概念 | 第27-28页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第28页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第28-29页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第29-30页 |
| 2.1.5 求解Kohn-Sham方程的方案 | 第30-33页 |
| 2.2 格林函数 | 第33-37页 |
| 2.2.1 平衡体系的格林函数方法 | 第33-35页 |
| 2.2.2 非平衡格林函数方法 | 第35-37页 |
| 2.3 Landauer-Buttiker理论 | 第37页 |
| 2.4 分子器件的电子输运计算过程 | 第37-40页 |
| 2.5 本论文采用的理论计算软件简介 | 第40-42页 |
| 2.5.1 电子结构计算软件 | 第40-41页 |
| 2.5.2 电子输运计算软件 | 第41-42页 |
| 第3章 含N_4O_2配体的铁基单分子磁体的自旋翻转和输运特性理论研究 | 第42-54页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 计算模型与方法 | 第42-44页 |
| 3.3 计算结果和分析讨论 | 第44-53页 |
| 3.3.1 自由Fe-N_4O_2化合物的几何与电子结构 | 第44-45页 |
| 3.3.2 自旋翻转能垒估算 | 第45-46页 |
| 3.3.3 Fe-N_4O_2分子结的输运性质 | 第46-50页 |
| 3.3.4 界面构型对输运性质的影响 | 第50-52页 |
| 3.3.5 DFT+U的输运结果 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小节 | 第53-54页 |
| 第4章 FeN_6自旋翻转化合物的输运特性的理论研究 | 第54-64页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 理论计算方法与计算参数 | 第54-55页 |
| 4.3 计算结果和分析讨论 | 第55-62页 |
| 4.3.1 自由FeN_6化合物的几何与电子结构 | 第55-57页 |
| 4.3.2 FeN_6分子结的输运性质 | 第57-61页 |
| 4.3.3 界面构型对输运性质的影响 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第5章 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第76页 |
