| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-32页 |
| ·引言 | 第10-12页 |
| ·半导体纳米线的生长机理 | 第12-18页 |
| ·气-液-固（Vapor-Liquid-Solid, VLS）生长机理 | 第12-14页 |
| ·溶液-液-固（Solution-Liquid-Solid, SLS）生长机理 | 第14-15页 |
| ·气-固-固（Vapor–Solid–Solid， VSS）生长机理 | 第15-16页 |
| ·固-液-固（Solid–Liquid–Solid， SLS）生长机理 | 第16-17页 |
| ·气-固（Vapor–Solid， VS）生长机理 | 第17-18页 |
| ·半导体纳米线生长方法 | 第18-21页 |
| ·化学气相沉积技术 | 第18-19页 |
| ·分子束外延技术和化学束外延技术 | 第19-20页 |
| ·激光消融技术 | 第20页 |
| ·热蒸发技术 | 第20-21页 |
| ·半导体纳米线的量子尺寸效应 | 第21-24页 |
| ·半导体纳米线电子和光电器件 | 第24-29页 |
| ·小结 | 第29-32页 |
| 第2章 金属有机化学气相沉积技术及半导体纳米线表征技术 | 第32-52页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·MOCVD 技术 | 第33-38页 |
| ·半导体纳米线表征技术 | 第38-49页 |
| ·扫描电子显微镜、透射电子显微镜及电子衍射 | 第38-43页 |
| ·X 射线衍射 | 第43-45页 |
| ·光致发光 | 第45-47页 |
| ·拉曼光谱 | 第47-49页 |
| ·小结 | 第49-52页 |
| 第3章 InP 纳米线的可控性生长 | 第52-66页 |
| ·引言 | 第52-54页 |
| ·实验 | 第54-55页 |
| ·In 纳米点的可控性生长 | 第55-58页 |
| ·InP 纳米线尺寸的可控性生长 | 第58-60页 |
| ·InP 纳米线的生长机理和其形状的可控性生长 | 第60-63页 |
| ·小结 | 第63-66页 |
| 第4章 InP 纳米线结构和光学性质研究 | 第66-82页 |
| ·引言 | 第66页 |
| ·InP 纳米线的晶体生长方向 | 第66-70页 |
| ·InP 纳米线的晶体结构 | 第70-72页 |
| ·InP 纳米线的光致发光 | 第72-78页 |
| ·InP 纳米线的拉曼散射 | 第78-80页 |
| ·小结 | 第80-82页 |
| 第5章 结论与展望 | 第82-88页 |
| 参考文献 | 第88-100页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第100-102页 |
| 指导教师及作者简介 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103页 |
