摘要 | 第6-9页 |
ABSTRACT | 第9-11页 |
本文的主要创新点 | 第12-16页 |
第1章 绪论 | 第16-42页 |
1.1 引言 | 第16-18页 |
1.2 异质形核研究及进展 | 第18-30页 |
1.2.1 经典形核理论 | 第18-22页 |
1.2.2 吸附形核模型及自由生长模型 | 第22-24页 |
1.2.3 吸附-界面扩散模型 | 第24-25页 |
1.2.4 润湿形核模型 | 第25-26页 |
1.2.5 形核能力评估 | 第26-30页 |
1.3 异质形核最新研究技术及方法 | 第30-38页 |
1.3.1 分子动力学 | 第30-33页 |
1.3.2 原位透射电镜及同步辐射技术 | 第33-36页 |
1.3.3 差热技术 | 第36-38页 |
1.4 凝固组织细化研究 | 第38-39页 |
1.4.1 物理法细化凝固组织 | 第38-39页 |
1.4.2 化学法细化凝固组织 | 第39页 |
1.5 本论文的研究意义及内容 | 第39-42页 |
1.5.1 研究意义 | 第39-40页 |
1.5.2 研究内容 | 第40-42页 |
第2章 实验材料、设备及研究方法 | 第42-49页 |
2.1 实验材料 | 第42-43页 |
2.2 实验设备及研究过程 | 第43-46页 |
2.2.1 实验设备 | 第43-44页 |
2.2.2 实验过程 | 第44-45页 |
2.2.3 实验路线 | 第45-46页 |
2.3 分析和检测 | 第46-49页 |
2.3.1 粗糙度检测 | 第46-47页 |
2.3.2 金相观察 | 第47页 |
2.3.3 物相微区分析 | 第47-48页 |
2.3.4 透射电镜分析 | 第48-49页 |
第3章 异质相结构对Al界面形核行为理论分析 | 第49-69页 |
3.1 错配度计算 | 第49-54页 |
3.1.1 错配度理论介绍 | 第49-50页 |
3.1.2 晶体结构 | 第50-51页 |
3.1.3 Al与异质基底不同晶面错配度 | 第51-54页 |
3.2 晶格电子密度差计算 | 第54-62页 |
3.2.1 晶格电子密度差理论介绍 | 第54页 |
3.2.2 Al与基底的晶格电子迁移率 | 第54-62页 |
3.3 边边匹配模型 | 第62-67页 |
3.3.1 HCP/FCC结构取向关系的计算 | 第63-65页 |
3.3.2 FCC/FCC结构取向关系的计算 | 第65-66页 |
3.3.3 Al在不同基底位向关系预测 | 第66-67页 |
3.4 本章小结 | 第67-69页 |
第4章 不同基底对Al形核过冷度影响 | 第69-80页 |
4.1 不同质形核基底过冷度测量 | 第69-73页 |
4.1.1 Al/MgO、Al/MgAl_2O_4、Al/Al_2O_3过冷度 | 第70-72页 |
4.1.2 Al在不同基底形核过冷度对比 | 第72-73页 |
4.2 形核过冷度与异质界面尺寸 | 第73-76页 |
4.3 异质形核过冷度与错配度 | 第76-78页 |
4.4 本章小结 | 第78-80页 |
第5章 Al在MgO、MgAl_2O_4及Al_2O_3基底形核界面研究 | 第80-111页 |
5.1 前言 | 第80页 |
5.2 Al在不同异质基底择优生长 | 第80-83页 |
5.3 Al/MgO的界面结构 | 第83-93页 |
5.3.1 Al与MgO的界面形貌 | 第84-88页 |
5.3.2 Al与MgO的高分辨界面结构 | 第88-93页 |
5.4 Al/MgAl_2O_4的界面结构 | 第93-104页 |
5.4.1 Al与MgAl_2O_4的界面形貌 | 第94页 |
5.4.2 Al与MgAl_2O_4的高分辨界面结构 | 第94-104页 |
5.5 Al/Al_2O_3的界面结构 | 第104-109页 |
5.5.1 Al与Al_2O_3的界面形貌 | 第104-105页 |
5.5.2 Al与Al_2O_3的高分辨界面结构 | 第105-109页 |
5.6 本章小结 | 第109-111页 |
第6章 Al/MgAl_2O_4与Al/Al_2O_3界面形核机制分析 | 第111-131页 |
6.1 形核过冷度与界面特征 | 第111-113页 |
6.2 Al/MgAl_2O_4界面特性分析 | 第113-123页 |
6.3 Al/Al_2O_3界面特性分析 | 第123-128页 |
6.4 异质形核微观机制 | 第128-130页 |
6.5 本章小结 | 第130-131页 |
第7章 结论 | 第131-133页 |
参考文献 | 第133-145页 |
作者在攻读学位期间取得的成果 | 第145-147页 |
致谢 | 第147-149页 |