| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 光电探测器的工作原理及性能参数 | 第13-17页 |
| 1.3 基于纳米材料异质结构光电探测器国内外研究进展 | 第17-20页 |
| 1.4 研究意义及主要内容 | 第20-22页 |
| 2 PbSQDs与WSe_2纳米片异质结构的红外光电探测器 | 第22-39页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 PbSQDs与WSe_2纳米片的制备与表征 | 第23-29页 |
| 2.3 PbS/WSe_2异质结构光电探测器的制备与性能分析 | 第29-34页 |
| 2.4 零维PbSQDs与二维WSe_2纳米片协同作用的分析 | 第34-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 3 新型铅基卤素二维材料的光电探测器 | 第39-55页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 铅基卤素二维材料的水热合成及表征 | 第40-44页 |
| 3.3 铅基卤素二维材料光电探测器的制备与性能分析 | 第44-49页 |
| 3.4 不同卤素掺比器件的性能对比及机理探究 | 第49-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 4 PbSNCs/PbI_2纳米片的外延异质结构红外探测器 | 第55-67页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 零维PbSNCs在PbI_2纳米片上的外延生长 | 第55-60页 |
| 4.3 PbS-PbI_2异质结构红外探测器的制备与测试 | 第60-63页 |
| 4.4 不同电极结构对于器件性能的影响及分析 | 第63-65页 |
| 4.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 5 总结与展望 | 第67-70页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-81页 |
| 附录1 攻读学位期间发表论文目录 | 第81页 |
