| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 纳米阵列研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 TiO_2纳米管阵列的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.1 模板合成法 | 第11页 |
| 1.2.2 水热合成法 | 第11-12页 |
| 1.2.3 电化学阳极氧化法 | 第12-13页 |
| 1.3 TiO_2的改性方法 | 第13-16页 |
| 1.3.1 贵金属沉积 | 第13-14页 |
| 1.3.2 离子掺杂 | 第14-15页 |
| 1.3.3 半导体复合 | 第15-16页 |
| 1.4 TiO_2纳米管阵列的应用 | 第16-17页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 实验材料与研究方法 | 第19-24页 |
| 2.1 实验试剂及仪器 | 第19-20页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第19页 |
| 2.1.2 实验仪器与设备 | 第19-20页 |
| 2.2 TiO_2纳米管基材料的制备 | 第20-21页 |
| 2.2.1 TiO_2纳米管阵列的制备 | 第20-21页 |
| 2.2.2 CuO-TiO_2纳米管阵列的制备 | 第21页 |
| 2.2.3 V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的制备 | 第21页 |
| 2.3 结构表征与性能分析方法 | 第21-24页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第22页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 | 第22页 |
| 2.3.3 x射线衍射 | 第22-23页 |
| 2.3.4 能谱仪 | 第23页 |
| 2.3.5 电化学性能测试 | 第23-24页 |
| 第3章 TiO_2纳米管阵列的制备及阳极氧化研究 | 第24-37页 |
| 3.1 前言 | 第24页 |
| 3.2 TiO_2纳米管阵列的表征及分析 | 第24-28页 |
| 3.2.1 TiO_2纳米管阵列的xrd分析 | 第24-25页 |
| 3.2.2 TiO_2纳米管阵列的sem分析 | 第25-26页 |
| 3.2.3 TiO_2纳米管阵列的tem分析 | 第26-28页 |
| 3.3 TiO_2纳米管阵列制备条件影响分析 | 第28-33页 |
| 3.3.1 氧化时间对TiO_2纳米管阵列的影响及分析 | 第28-30页 |
| 3.3.2 氧化电压对TiO_2纳米管阵列的影响及分析 | 第30-31页 |
| 3.3.3 电解液浓度对TiO_2纳米管阵列的影响及分析 | 第31-33页 |
| 3.4 TiO_2纳米管阵列形成机理研究 | 第33-35页 |
| 3.5 TiO_2纳米管阵列电催化析氢性能分析 | 第35-36页 |
| 3.6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 CuO-TiO_2纳米管阵列的制备及其电催化析氢性能研究 | 第37-45页 |
| 4.1 前言 | 第37页 |
| 4.2 CuO-TiO_2纳米管阵列的表征及分析 | 第37-44页 |
| 4.2.1 CuO-TiO_2纳米管阵列的xrd分析 | 第37-38页 |
| 4.2.2 CuO-TiO_2纳米管阵列的sem分析 | 第38-39页 |
| 4.2.3 CuO-TiO_2纳米管阵列的eds分析 | 第39-41页 |
| 4.2.4 CuO-TiO_2纳米管阵列的tem分析 | 第41-42页 |
| 4.2.5 CuO-TiO_2纳米管阵列的电催化析氢性能分析 | 第42-44页 |
| 4.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的制备及其电催化析氢性能研究 | 第45-54页 |
| 5.1 前言 | 第45页 |
| 5.2 V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的表征及分析 | 第45-52页 |
| 5.2.1 不同NH_4VO_3浓度制备V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的xrd分析 | 第45-47页 |
| 5.2.2 不同NH_4VO_3浓度制备V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的sem分析 | 第47-49页 |
| 5.2.3 不同NH_4VO_3浓度制备V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的eds分析 | 第49-50页 |
| 5.2.4 不同NH_4VO_3浓度制备V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的tem分析 | 第50-51页 |
| 5.2.5 不同NH_4VO_3浓度制备V_2O_5-TiO_2纳米管阵列的电催化析氢性能分析 | 第51-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
