| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 概述 | 第8-12页 |
| ·新型陶瓷材料 | 第8-9页 |
| ·氧化铝及其测定 | 第8页 |
| ·碳化硅及其测定 | 第8-9页 |
| ·悬浮液进样技术 | 第9-10页 |
| ·悬浮液制备 | 第9-10页 |
| ·悬浮液进样石墨炉原子吸收光谱分析 | 第10-12页 |
| ·悬浮液基体改进剂 | 第10-11页 |
| ·背景校正 | 第11页 |
| ·定量分析方法 | 第11页 |
| ·准确性 | 第11-12页 |
| 第二章 自吸扣背景测定新型陶瓷材料中痕量元素 | 第12-45页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·实验部分 | 第12-15页 |
| ·仪器与试剂 | 第12页 |
| ·新型陶瓷材料高温高压消解方法 | 第12-13页 |
| ·悬浮液的制备 | 第13-14页 |
| ·涂Zr石墨管的制备 | 第14-15页 |
| ·工作曲线的测定 | 第15页 |
| ·结果与讨论 | 第15-43页 |
| ·试样的溶解 | 第15页 |
| ·空白值的控制 | 第15-16页 |
| ·自吸扣背景灯电流的优化 | 第16-18页 |
| ·分析线的选取 | 第18页 |
| ·自吸扣背景测定氧化铝中痕量元素 | 第18-26页 |
| ·自吸扣背景碳化硅测定痕量元素 | 第26-41页 |
| ·石墨管及其残留物 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 塞曼效应背景校正石墨炉原子吸收测定新型陶瓷材料中痕量元素 | 第45-62页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·仪器与试剂 | 第45-46页 |
| ·分析步骤 | 第46页 |
| ·样品制备 | 第46页 |
| ·工作曲线的测定 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-61页 |
| ·塞曼效应背景校正空心阴极灯的灯电流优化 | 第46-48页 |
| ·分析元素峰形的确定 | 第48-50页 |
| ·塞曼效应背景校正石墨炉原子吸收升温程序的优化 | 第50-53页 |
| ·塞曼效应背景校正石墨炉原子吸收陶瓷材料中痕量元素的测定 | 第53-61页 |
| ·石墨管形貌分析 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 附表 | 第72-73页 |
| 附录 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第74-75页 |