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65nm工艺下L1Cache tag中高速SRAM的设计与实现

摘要第1-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第12-25页
   ·课题研究背景第12-13页
     ·SRAM的发展趋势第12-13页
     ·SRAM发展面临的难题第13页
   ·SRAM的国内外研究现状第13-14页
     ·国外发展状况第13-14页
     ·国内发展状况第14页
   ·SRAM概述第14-22页
     ·SRAM的结构第14-15页
     ·SRAM的基本单元第15-18页
     ·SRAM工作原理第18-20页
     ·SRAM高速设计常用技术第20-22页
   ·本文的主要工作第22-23页
   ·论文的组织结构第23-25页
第二章 SRAM设计需求以及实现方案第25-32页
   ·L1 Cache tag 中的SRAM第25-26页
   ·SRAM的设计需求第26-27页
   ·SRAM设计方案第27-29页
   ·SRAM 具体设计规划第29-31页
   ·本章小结第31-32页
第三章 SRAM的电路设计第32-56页
   ·基本单元的电路设计第32-39页
     ·基本单元类型的选择第32-33页
     ·单元尺寸的调整策略第33-34页
     ·工艺变化对单元稳定性的影响及解决方案第34-39页
   ·预充电路设计第39-40页
     ·常用预充机制分析第39页
     ·预充电路设计第39-40页
   ·译码电路设计第40-43页
   ·灵敏放大器电路的设计第43-47页
   ·控制逻辑电路设计第47-51页
     ·写选择控制信号产生电路第48-49页
     ·读选择控制信号产生电路第49页
     ·预充使能信号产生电路第49-51页
   ·输出判断逻辑电路第51-52页
   ·反相器链设计第52-55页
   ·本章总结第55-56页
第四章 SRAM版图实现第56-68页
   ·版图设计流程第56-57页
   ·SRAM设计布局布线策略第57-58页
   ·SRAM版图设计第58-67页
     ·存储单元版图设计第58-59页
     ·预充电路版图第59-60页
     ·译码电路版图第60-61页
     ·控制逻辑电路版图第61-63页
     ·灵敏放大器版图第63-64页
     ·输出逻辑电路第64-65页
     ·总体版图结构第65-67页
   ·本章总结第67-68页
第五章 SRAM模拟和验证第68-78页
   ·版图验证第68-70页
     ·DRC和ERC的验证第68-69页
     ·LVS验证第69页
     ·寄生参数的提取第69-70页
   ·电路和版图模拟第70-76页
     ·HSPICE模拟第71-72页
     ·电路级全局模拟第72-74页
     ·版图级全局模拟第74-76页
   ·本章总结第76-78页
第六章 结束语第78-80页
   ·课题工作总结第78-79页
   ·未来工作展望第79-80页
致谢第80-81页
参考文献第81-83页
攻读硕士期间发表的论文第83页

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