| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·课题的研究背景和意义 | 第11-14页 |
| ·新型计算机存储器件 | 第11-12页 |
| ·基于交叉线结构的阻变存储阵列 | 第12-14页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-21页 |
| ·基于有机存储介质的阻变存储器 | 第14-16页 |
| ·基于无机存储介质的阻变存储器 | 第16-17页 |
| ·阻变原理的相关研究 | 第17-21页 |
| ·论文主要内容及结构安排 | 第21-23页 |
| ·论文的主要内容 | 第21页 |
| ·论文的结构安排 | 第21-23页 |
| 第二章 基于交叉线结构的微纳米阻变存储阵列的制备 | 第23-36页 |
| ·实验室制备微纳米阻变存储阵列 | 第23-24页 |
| ·前期准备 | 第24-25页 |
| ·顶层与底层电极的制造 | 第25-30页 |
| ·Lift-Off 工艺与金属镀膜 | 第25-30页 |
| ·微米级光刻技术 | 第30页 |
| ·中间薄膜层的制造 | 第30-33页 |
| ·真空蒸发镀膜 | 第30-32页 |
| ·真空溅射镀膜 | 第32页 |
| ·LB拉膜与有机旋涂 | 第32-33页 |
| ·薄膜表征与初步测试 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 基于钛氧化物无机阻变存储阵列的机理与性能研究 | 第36-48页 |
| ·基于钛氧化物的阻变存储阵列 | 第36页 |
| ·钛氧化物阻变存储阵列的制备与测试 | 第36-41页 |
| ·钛氧化物阻变存储阵列的机理研究 | 第41-47页 |
| ·形成过程 | 第41-42页 |
| ·稳态过程 | 第42-43页 |
| ·理论建模 | 第43-46页 |
| ·结果讨论 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 金属电极对阻变存储阵列的性能影响的研究 | 第48-60页 |
| ·基于虎红钠盐的阻变存储阵列的性能研究 | 第48-53页 |
| ·有机虎红分子的阻变特性测试 | 第48-51页 |
| ·铝/虎红分子/氧化铟锡存储单元的阻变特性的机理研究 | 第51-53页 |
| ·基于铝铂电极的无机钛氧化物阻变存储阵列的性能研究 | 第53-59页 |
| ·实验方法与测试结果 | 第53-55页 |
| ·实验结果讨论 | 第55-59页 |
| ·不对称双稳态现象 | 第55-57页 |
| ·理论解释与建模 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 结束语 | 第60-62页 |
| ·全文工作总结 | 第60页 |
| ·未来工作展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第67页 |
