| 摘要 | 第6-8页 |
| abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-15页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展 | 第15-17页 |
| 1.3 薄膜晶体管的应用 | 第17-19页 |
| 1.4 论文安排 | 第19-21页 |
| 第二章 薄膜晶体管的制备工艺和基本特征 | 第21-28页 |
| 2.1 薄膜晶体管的制备工艺 | 第21-23页 |
| 2.2 薄膜晶体管的基本结构 | 第23-24页 |
| 2.3 薄膜晶体管的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.4 薄膜晶体管的性能参数 | 第25-28页 |
| 第三章 有源层掺杂对于氧化铟基薄膜晶体管性能的影响 | 第28-43页 |
| 3.1 Mg掺杂同时改善In_2O_3薄膜晶体管的电学性能和稳定性 | 第28-36页 |
| 3.1.1 器件的制备过程 | 第29-30页 |
| 3.1.2 结果讨论与分析 | 第30-35页 |
| 3.1.3 小结 | 第35-36页 |
| 3.2 Y掺杂对水溶液法制备的In_2O_3薄膜晶体管的电学性能和稳定性的影响 | 第36-43页 |
| 3.2.1 器件的制备过程 | 第36-37页 |
| 3.2.2 结果分析与讨论 | 第37-42页 |
| 3.2.3 小结 | 第42-43页 |
| 第四章 基于高介电常数绝缘层的氧化铟基薄膜晶体管的电学性能和稳定性研究 | 第43-67页 |
| 4.1 La掺杂对基于溶液法制备的ZrO_2绝缘层的In_2O_3薄膜晶体管的影响 | 第45-56页 |
| 4.1.1 器件的制备 | 第45-46页 |
| 4.1.2 结果分析与讨论 | 第46-54页 |
| 4.1.3 小结 | 第54-56页 |
| 4.2 基于YAlO绝缘层的In_2O_3薄膜晶体管电学性能和稳定性的研究 | 第56-67页 |
| 4.2.1 器件的制备过程 | 第56-57页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第57-66页 |
| 4.2.3 结论 | 第66-67页 |
| 第五章 结论与展望 | 第67-71页 |
| 5.1 总结 | 第67-69页 |
| 5.2 展望 | 第69-71页 |
| 文献 | 第71-83页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第83-84页 |
| 作者在攻读硕士学位期间所做项目 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
