| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| 1.1 非易失性存储器分类 | 第9-11页 |
| 1.1.1 传统非易失性存储器 | 第9-10页 |
| 1.1.2 新型非易失性存储器 | 第10-11页 |
| 1.2 电阻转换效应简介 | 第11-12页 |
| 1.3 阻变存储器的基本结构及材料体系 | 第12-19页 |
| 1.3.1 阻变存储器的基本结构 | 第12-13页 |
| 1.3.2 阻变介质材料体系 | 第13-19页 |
| 1.4 阻变存储器的电阻转换机理 | 第19-24页 |
| 1.4.1 导电细丝机制 | 第19-21页 |
| 1.4.2 界面效应 | 第21-24页 |
| 1.5 阻变存储器的研究现状 | 第24页 |
| 1.6 本论文选题依据 | 第24-26页 |
| 第二章 氧化钛阻变存储器的制备及表征方法 | 第26-33页 |
| 2.1 氧化钛薄膜的制备 | 第26-29页 |
| 2.1.1 薄膜材料的制备方法 | 第26-27页 |
| 2.1.2 氧化钛薄膜的制备流程 | 第27-29页 |
| 2.2 微观结构表征方法 | 第29-31页 |
| 2.3 电学性能表征方法 | 第31-33页 |
| 第三章 氧化钛薄膜的阻变性能 | 第33-42页 |
| 3.1 氧化钛薄膜的微观表征 | 第33-35页 |
| 3.1.1 氧化钛薄膜的XRD图谱 | 第33页 |
| 3.1.2 氧化钛薄膜的XPS图谱 | 第33-35页 |
| 3.1.3 氧化钛薄膜的表面形貌 | 第35页 |
| 3.2 Pt/TiO_2/Pt器件的阻变特性 | 第35-38页 |
| 3.3 Pt/TiO_2/Pt器件的阻变机制 | 第38-39页 |
| 3.4 Pt/TiO_2/Pt器件的循环与保持特性 | 第39-40页 |
| 3.5 在不同衬底上氧化钛薄膜器件的阻变性能 | 第40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 氧化钛阻变器件的掺杂改性 | 第42-55页 |
| 4.1 掺杂改性的理论基础 | 第42-44页 |
| 4.2 氧化钛阻变器件的掺杂方案 | 第44-45页 |
| 4.3 三价离子掺杂氧化钛器件的阻变性能 | 第45-50页 |
| 4.3.1 三价离子掺杂氧化钛薄膜的微观表征 | 第45-48页 |
| 4.3.2 三价离子掺杂氧化钛器件的电学性能 | 第48-50页 |
| 4.4 二价离子掺杂氧化钛器件的阻变性能 | 第50-52页 |
| 4.4.1 二价离子掺杂氧化钛薄膜的微观表征 | 第50-51页 |
| 4.4.2 二价离子掺杂氧化钛器件的电学性能 | 第51-52页 |
| 4.5 降低的氧空位生成能对掺杂器件阻变性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 插入层对氧化钛基阻变器件的性能调控 | 第55-64页 |
| 5.1 氧化物插入层对阻变器件的性能调控 | 第55-61页 |
| 5.1.1 氧化物插入层的选取 | 第55-56页 |
| 5.1.2 ZrO2/TiO_2双层结构的微观表征 | 第56-58页 |
| 5.1.3 Pt/ZrO2/TiO_2/Pt器件的电学性能 | 第58-60页 |
| 5.1.4 Pt/ZrO2/TiO_2/Pt器件的阻变机制 | 第60-61页 |
| 5.2 其他功能层对阻变器件的性能调控 | 第61-62页 |
| 5.2.1 Pt/TiO_2/BNT/Pt器件结构 | 第61-62页 |
| 5.2.2 Pt/TiO_2/BNT/Pt器件的电学性能 | 第62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 论文总结 | 第64页 |
| 6.2 工作展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文目录及所参加的学术会议 | 第74页 |
