| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第17-38页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第17-18页 |
| 1.2 雷达透波材料的研究进展 | 第18-24页 |
| 1.2.1 已获应用的透波材料 | 第19-20页 |
| 1.2.2 氮化物系透波材料 | 第20-22页 |
| 1.2.3 多孔氮化硅材料 | 第22-24页 |
| 1.3 电磁波吸收材料的研究进展 | 第24-33页 |
| 1.3.1 吸波材料分类 | 第26-27页 |
| 1.3.2 电阻损耗型吸波剂 | 第27-30页 |
| 1.3.3 介电损耗型吸波剂 | 第30-33页 |
| 1.4 氮化硅陶瓷连接 | 第33-36页 |
| 1.5 本文的主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第2章 材料与试验方法 | 第38-54页 |
| 2.1 实验原材料及制备方法 | 第38-43页 |
| 2.1.1 微波烧结法制备多孔氮化硅陶瓷 | 第38-39页 |
| 2.1.2 冷冻干燥法制备多孔氮化硅陶瓷 | 第39-40页 |
| 2.1.3 电损耗型氮化硅复相吸波陶瓷 | 第40-43页 |
| 2.2 分析测试与表征 | 第43-49页 |
| 2.2.1 氧含量测试及表征 | 第43页 |
| 2.2.2 密度测试及表征 | 第43-44页 |
| 2.2.3 弯曲强度测试及表征 | 第44页 |
| 2.2.4 弹性模量测试及表征 | 第44-45页 |
| 2.2.5 断裂韧性测试及表征 | 第45页 |
| 2.2.6 物相分析测试及表征 | 第45页 |
| 2.2.7 微观组织与能谱分析表征 | 第45-46页 |
| 2.2.8 介电性能测试及表征 | 第46-47页 |
| 2.2.9 反射率测试及表征 | 第47-48页 |
| 2.2.10 透射率测试及表征 | 第48-49页 |
| 2.3 角锥,曲面型天线罩材料设计计算方法 | 第49-54页 |
| 2.3.1 非正交网格FDTD | 第49-52页 |
| 2.3.2 有限元算法FEM | 第52-54页 |
| 第3章 低介电多孔氮化硅陶瓷制备及其性能评价 | 第54-81页 |
| 3.1 引言 | 第54页 |
| 3.2 微波烧结法制备多孔氮化硅陶瓷 | 第54-73页 |
| 3.2.1 球磨工艺对硅粉原料的影响 | 第54-56页 |
| 3.2.2 多孔氮化硅陶瓷孔隙率的控制 | 第56-58页 |
| 3.2.3 多孔氮化硅陶瓷的物相分析 | 第58-60页 |
| 3.2.4 多孔氮化硅陶瓷微观组织分析 | 第60-62页 |
| 3.2.5 微波烧结多孔氮化硅陶瓷的机理分析 | 第62-65页 |
| 3.2.6 多孔氮化硅陶瓷的反应动力学计算 | 第65-71页 |
| 3.2.7 多孔氮化硅陶瓷的力学性能 | 第71-72页 |
| 3.2.8 多孔氮化硅陶瓷的电学性能 | 第72-73页 |
| 3.3 冷冻干燥法制备多孔氮化硅陶瓷 | 第73-79页 |
| 3.3.1 料浆固相含量对多孔氮化硅孔径分布的影响 | 第73-75页 |
| 3.3.2 冷冻干燥法制备多孔氮化硅的相分析 | 第75页 |
| 3.3.3 冷冻干燥法制备多孔氮化硅的微观组织 | 第75-77页 |
| 3.3.4 料浆固相含量对多孔氮化硅物理性能的影响 | 第77-79页 |
| 3.3.5 冷冻干燥法制备多孔氮化硅的介电性能 | 第79页 |
| 3.4 本章小结 | 第79-81页 |
| 第4章 电损耗型氮化硅复相吸波陶瓷的制备与性能研究 | 第81-106页 |
| 4.1 引言 | 第81页 |
| 4.2 电阻型吸波剂对氮化硅复相陶瓷组织和性能影响 | 第81-94页 |
| 4.2.1 碳化硅粉体吸波剂对氮化硅复相陶瓷力学性能的影响 | 第81-82页 |
| 4.2.2 氮化硅/碳化硅复相陶瓷的微观组织 | 第82-84页 |
| 4.2.3 碳化硅粉体吸波剂对氮化硅复相陶瓷电学性能的影响 | 第84-86页 |
| 4.2.4 碳化硅纳米线吸波剂对氮化硅复相陶瓷力学性能的影响 | 第86-87页 |
| 4.2.5 氮化硅/碳化硅纳米线复相陶瓷的微观组织 | 第87-88页 |
| 4.2.6 氮化硅/碳化硅纳米线复相陶瓷的介电性能 | 第88-90页 |
| 4.2.7 碳化硅粉体/碳化硅复合吸波剂纳米线对氮化硅复相陶瓷力学性能的影响 | 第90-92页 |
| 4.2.8 添加碳化硅/碳化硅纳米线复合吸波剂的氮化硅复相陶瓷微观组织. | 第92-94页 |
| 4.2.9 电损耗型吸波剂吸波机理分析 | 第94页 |
| 4.3 电介质型吸波剂钛酸镁对氮化硅复相陶瓷组织和性能的影响 | 第94-104页 |
| 4.3.1 MgTiO_3的含量对Si_3N_4/MgTiO_3复相陶瓷物理和机械性能的影响 | 第94-96页 |
| 4.3.2 MgTiO_3的含量对Si_3N_4/MgTiO_3复相陶瓷介电性能的影响 | 第96-97页 |
| 4.3.3 Si_3N_4/MgTiO_3复相陶瓷的微观组织分析 | 第97-99页 |
| 4.3.4 MgTiO_3/Mg_2TiO_4的含量对Si_3N_4/MgTiO_3/Mg_2TiO_4复相陶瓷的物理性能影响 | 第99-100页 |
| 4.3.5 Si_3N_4/MgTiO_3/Mg_2TiO_4复相陶瓷的微观组织分析 | 第100-102页 |
| 4.3.6 MgTiO_3/Mg_2TiO_4的含量对Si_3N_4/MgTiO_3/Mg_2TiO_4复相陶瓷介电性能的影响 | 第102-104页 |
| 4.3.7 电介质型吸波剂的吸波机理分析 | 第104页 |
| 4.4 本章小结 | 第104-106页 |
| 第5章 氮化硅基陶瓷的连接研究 | 第106-118页 |
| 5.1 引言 | 第106页 |
| 5.2 复合焊料连接致密Si_3N_4陶瓷接头的组织形貌分析 | 第106-109页 |
| 5.3 复合焊料连接多孔/致密Si_3N_4陶瓷接头的组织形貌分析 | 第109-110页 |
| 5.4 连接工艺对接头的组织和力学性能的影响 | 第110-116页 |
| 5.4.1 连接温度对致密Si_3N_4接头组织和性能的影响 | 第110-112页 |
| 5.4.2 连接温度对多孔/致密Si_3N_4接头组织和性能的影响 | 第112-113页 |
| 5.4.3 连接Si_3N_4复合陶瓷接头的组织和性能 | 第113-116页 |
| 5.5 本章小结 | 第116-118页 |
| 第6章 隐身/透波一体化材料的结构设计 | 第118-136页 |
| 6.1 引言 | 第118-119页 |
| 6.2 隐身/透波一体化结构设计 | 第119-127页 |
| 6.2.1 材料的电磁性能 | 第119-120页 |
| 6.2.2 金属背板模型反射率和透过率的计算方法 | 第120-125页 |
| 6.2.3 氮化硅基材料的微观结构设计 | 第125-127页 |
| 6.3 隐身/透波一体化仿真设计与计算 | 第127-134页 |
| 6.3.1 单层结构设计 | 第127-128页 |
| 6.3.2 双层结构设计 | 第128-129页 |
| 6.3.3 三层结构设计 | 第129-130页 |
| 6.3.4 透波率与反射率测试与分析 | 第130-134页 |
| 6.4 本章小结 | 第134-136页 |
| 结论 | 第136-138页 |
| 创新点 | 第138-139页 |
| 参考文献 | 第139-151页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第151-154页 |
| 致谢 | 第154-155页 |
| 个人简历 | 第155页 |
