超支化聚酰亚胺电存储材料的制备与性能研究
| 中文摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 聚合物信息存储器件的结构与制备 | 第14页 |
| 1.3 聚合物信息存储器件存储效应 | 第14-16页 |
| 1.3.1 易失性存储效应 | 第15页 |
| 1.3.2 非易失性存储效应 | 第15-16页 |
| 1.4 聚合物信息存储器件的存储机理 | 第16-19页 |
| 1.4.1 电荷转移 | 第16-17页 |
| 1.4.2 构象变化 | 第17-18页 |
| 1.4.3 空间电荷和陷阱 | 第18-19页 |
| 1.4.4 丝状传导 | 第19页 |
| 1.4.5 其他存储机理 | 第19页 |
| 1.5 聚合物信息存储材料 | 第19-29页 |
| 1.5.1 含有偶氮苯基团的聚合物 | 第19-21页 |
| 1.5.2 含有咔唑基团的聚合物 | 第21-22页 |
| 1.5.3 含有金属络合物的聚合物 | 第22-23页 |
| 1.5.4 复合聚合物材料 | 第23-24页 |
| 1.5.5 共轭聚合物 | 第24-26页 |
| 1.5.6 功能聚酰亚胺 | 第26-29页 |
| 1.6 超支化聚酰亚胺 | 第29-33页 |
| 1.6.1 超支化聚酰亚胺概述 | 第29-30页 |
| 1.6.2 超支化聚酰亚胺的合成 | 第30-31页 |
| 1.6.3 超支化聚酰亚胺的应用 | 第31-33页 |
| 1.7 本论文的设计思想及研究内容 | 第33-35页 |
| 第二章 实验部分 | 第35-39页 |
| 2.1 实验原料 | 第35-36页 |
| 2.2 测试仪器与测试方法 | 第36-39页 |
| 2.2.1 结构与分子量测试 | 第36-37页 |
| 2.2.2 热性能测试 | 第37页 |
| 2.2.3 形貌及膜厚测试 | 第37页 |
| 2.2.4 光性能及电学性能测试 | 第37-38页 |
| 2.2.5 存储性能测试 | 第38-39页 |
| 第三章 主链改性对超支化聚酰亚胺存储性能的影响 | 第39-56页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 三胺单体的合成与表征 | 第40-42页 |
| 3.2.1 三胺单体的合成 | 第40页 |
| 3.2.2 三胺单体的表征 | 第40-42页 |
| 3.3 超支化聚酰亚胺的合成与表征 | 第42-54页 |
| 3.3.1 超支化聚酰亚胺的合成 | 第42-44页 |
| 3.3.2 超支化聚酰亚胺的表征 | 第44-49页 |
| 3.3.3 存储器件的制备 | 第49-50页 |
| 3.3.4 存储性能测试 | 第50-51页 |
| 3.3.5 理论计算 | 第51-52页 |
| 3.3.6 存储机理 | 第52-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 封端改性对超支化聚酰亚胺存储性能的影响 | 第56-72页 |
| 4.1 引言 | 第56页 |
| 4.2 封端单体的合成与表征 | 第56-62页 |
| 4.2.1 封端单体的合成 | 第56-58页 |
| 4.2.2 封端单体的表征 | 第58-62页 |
| 4.3 封端超支化聚酰亚胺的合成与表征 | 第62-71页 |
| 4.3.1 封端超支化聚酰亚胺的合成 | 第62页 |
| 4.3.2 封端超支化聚酰亚胺的表征 | 第62-68页 |
| 4.3.3 存储性能测试 | 第68-70页 |
| 4.3.4 存储机理 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-83页 |
| 攻读硕士期间的科研成果 | 第83-84页 |
| 作者简介 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
