| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| 1.1 引言 | 第13页 |
| 1.2 纳米金属氧化物 | 第13-16页 |
| 1.3 纳米结构氧化钼 | 第16-17页 |
| 1.3.1 三氧化钼的结构特性 | 第17页 |
| 1.4 纳米MoO_3的合成 | 第17-20页 |
| 1.4.1 水热合成方法 | 第18页 |
| 1.4.2 微波水热合成方法 | 第18-19页 |
| 1.4.3 超声化学合成方法 | 第19页 |
| 1.4.4 电化学沉积合成方法 | 第19页 |
| 1.4.5 化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 1.5 纳米MoO_3的应用 | 第20-22页 |
| 1.5.1 气体敏感材料 | 第20-21页 |
| 1.5.2 二次锂离子电池的电极 | 第21-22页 |
| 1.5.3 光催化剂 | 第22页 |
| 1.6 纳米MoO_3的改性 | 第22-24页 |
| 1.6.1 掺杂杂质金属改性 | 第22-23页 |
| 1.6.2 构建异质结改性 | 第23-24页 |
| 1.7 MoO_3的气敏机理 | 第24页 |
| 1.8 本论文的研究内容和意义 | 第24-27页 |
| 第二章 实验原料和表征 | 第27-33页 |
| 2.1 实验药品 | 第27-28页 |
| 2.2 表征手段 | 第28-30页 |
| 2.3 气敏性能测试 | 第30-33页 |
| 2.3.1 动态气敏测试 | 第30页 |
| 2.3.2 静态气敏测试 | 第30-33页 |
| 第三章 掺杂MoO_3纳米晶体的气敏性能与机制研究 | 第33-55页 |
| 3.1 引言 | 第33-34页 |
| 3.2 1D MoO_3纳米带的制备 | 第34-36页 |
| 3.2.1 水热合成MoO_3纳米带的实验过程 | 第34页 |
| 3.2.2 水热温度对1D MoO_3的影响 | 第34-35页 |
| 3.2.3 水热时间对1D MoO_3的影响 | 第35-36页 |
| 3.3 1D MoO_3的晶体结构和形貌 | 第36-38页 |
| 3.4 1D MoO_3的气敏性能 | 第38-41页 |
| 3.4.1 焙烧温度对1D α-MoO_3气敏性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.4.2 1D α-MoO_3的气体选择性 | 第40-41页 |
| 3.5 掺杂1D MoO_3纳米带的制备 | 第41-54页 |
| 3.5.1 水热法合成掺杂MoO_3 | 第41页 |
| 3.5.2 掺杂质种类对MoO_3气敏性能的影响 | 第41-42页 |
| 3.5.3 Cd掺杂MoO_3纳米带的气敏性能 | 第42-44页 |
| 3.5.4 Cd掺杂MoO_3纳米带的结构和形貌 | 第44-46页 |
| 3.5.5 Cd掺杂MoO_3气敏性能增强的内因 | 第46-50页 |
| 3.5.6 5 wt%Cd掺杂MoO_3的暂态响应和非线性拟合 | 第50-51页 |
| 3.5.7 Cd掺杂MoO_3的气敏性能提高的机理 | 第51-54页 |
| 3.6 小结 | 第54-55页 |
| 第四章 纳米MoO_3/rGO复合物的制备与气敏性能研究 | 第55-75页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 MoO_3/rGO复合物的制备 | 第56-58页 |
| 4.2.1 GO的合成 | 第56-57页 |
| 4.2.2 MoO_3/rGO复合物的制备 | 第57-58页 |
| 4.3 MoO_3/rGO复合物的结构和形貌 | 第58-65页 |
| 4.4 纳米MoO_3/rGO复合物的气敏性能 | 第65-73页 |
| 4.4.1 操作温度和rGO含量对MoO_3/rGO气敏性能的影响 | 第65-66页 |
| 4.4.2 气体浓度对MoO_3/rGO气敏性能的影响 | 第66-68页 |
| 4.4.3 MoO_3/rGO复合物的选择性 | 第68-69页 |
| 4.4.4 长期稳定性和重复性 | 第69-70页 |
| 4.4.5 MoO_3/rGO复合物的气敏性能增强的内因 | 第70-72页 |
| 4.4.6 MoO_3/rGO复合物的气敏机理 | 第72-73页 |
| 4.5 小结 | 第73-75页 |
| 第五章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第87-89页 |
| 作者和导师简介 | 第89-90页 |
| 附件 | 第90-91页 |
