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高功率MPCVD法制备高质量金刚石膜的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第11-27页
    1.1 金刚石的晶体结构第11-12页
    1.2 金刚石性能及应用第12-15页
        1.2.1 CVD金刚石的力学性能及应用第12-13页
        1.2.2 CVD金刚石的电学性能及应用第13页
        1.2.3 CVD金刚石的热学性能及应用第13-14页
        1.2.4 CVD金刚石的光学性能及应用第14-15页
    1.3 CVD金刚石的制备方法第15-19页
        1.3.1 CVD金刚石的生长机理第15-17页
        1.3.2 热丝CVD法第17页
        1.3.3 直流等离子体喷射CVD法第17-18页
        1.3.4 微波等离子体CVD法第18-19页
    1.4 微波等离子体CVD金刚石的国内外发展现状第19-24页
        1.4.1 国外MPCVD装置及沉积技术发展现状第20-22页
        1.4.2 国内MPCVD装置及沉积技术的发展现状第22-23页
        1.4.3 武汉工程大学研究MPCVD金刚石膜技术成果及现状第23-24页
    1.5 本文研究的意义和内容第24-27页
        1.5.1 研究意义第24页
        1.5.2 研究内容第24-27页
第2章 实验装置与结果表征第27-35页
    2.1 微波等离子体化学气相沉积装置第27-30页
    2.2 实验基本参数选择第30-31页
    2.3 基本工艺流程第31-32页
    2.4 结果表征方法第32-35页
        2.4.1 光学金相显微镜第33页
        2.4.2 扫描电子显微镜第33页
        2.4.3 原子力显微镜第33页
        2.4.4 激光拉曼光谱第33-34页
        2.4.5 X射线衍射谱第34-35页
第3章 不同表面预处理方法对金刚石膜的制备研究第35-45页
    3.1 引言第35-36页
    3.2 不同预处理方法对基片的影响第36-38页
    3.3 不同预处理方法对形核的影响第38-41页
    3.4 不同预处理方法对金刚石生长的影响第41-44页
    3.5 本章小结第44-45页
第4章 高质量高取向(100)面金刚石膜可控性生长研究第45-57页
    4.1 基片温度和甲烷浓度对金刚石膜表面形貌的影响第47-50页
    4.2 基片温度和甲烷浓度对金刚石膜质量的影响第50-51页
    4.3 基片温度和甲烷浓度间的耦合效应对金刚石膜取向的影响第51-54页
    4.4 基片温度与碳源浓度间的耦合效应对金刚石膜生长率的影响第54-55页
    4.5 本章小结第55-57页
第5章 辅助气体对金刚石膜沉积影响的研究第57-71页
    5.1 辅助气体对金刚石膜SEM形貌的影响第58-59页
    5.2 辅助气体对金刚石膜品质的影响第59-61页
    5.3 辅助气体对金刚石膜生长率的影响第61-62页
    5.4 辅助气体参与下微纳米双层金刚石膜的生长研究第62-68页
        5.4.1 二氧化碳浓度对微/纳米金刚石膜表面形貌的影响第64-66页
        5.4.2 二氧化碳浓度对微/纳米金刚石膜品质及结构的影响第66-67页
        5.4.3 二氧化碳浓度对微/纳米金刚石膜生长率的影响第67-68页
    5.5 本章小结第68-71页
第6章 论文总结与展望第71-73页
参考文献第73-81页
硕士研究生期间发表的论文第81-83页
致谢第83页

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