| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 课题背景及研究意义 | 第10页 |
| 1.2 硅的同素异形体 | 第10-21页 |
| 1.2.1 已知相的种类 | 第11-14页 |
| 1.2.2 各种硅结构的电子性质 | 第14-17页 |
| 1.2.3 硅的理论研究进展 | 第17-21页 |
| 1.3 过渡金属硼化物研究进展 | 第21-30页 |
| 1.3.1 OsB_2的理论和实验进展 | 第22-23页 |
| 1.3.2 ReB_2的理论和实验进展 | 第23-25页 |
| 1.3.3 WB_4的理论和实验进展 | 第25-27页 |
| 1.3.4 FeB_4的理论和实验进展 | 第27-28页 |
| 1.3.5 已知过渡金属硼化物的总结和启发 | 第28-30页 |
| 第2章 硅的新型直接带隙同素异形体 | 第30-42页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 计算方法 | 第31页 |
| 2.3 晶体结构和稳定性 | 第31-39页 |
| 2.4 电子性质 | 第39页 |
| 2.5 光学性质 | 第39-40页 |
| 2.6 可能的合成途径 | 第40-41页 |
| 2.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 宽带隙的笼型硅的同素异形体 | 第42-50页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 计算方法 | 第43页 |
| 3.3 结构和稳定性 | 第43-45页 |
| 3.4 电子性质 | 第45-48页 |
| 3.5 可能的合成路径 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 RHB 的新型高压相的第一性原理研究 | 第50-60页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 计算方法 | 第51页 |
| 4.3 结构的确定与稳定性的判定 | 第51-54页 |
| 4.4 电子性质 | 第54-55页 |
| 4.5 不可压缩性，韧性和硬度 | 第55-57页 |
| 4.6 相变路径 | 第57-59页 |
| 4.7 本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 新型铁硼化合物的理论和实验研究 | 第60-84页 |
| 5.1 超硬的 FEB_4半导体高压相的第一性原理研究 | 第60-69页 |
| 5.1.1 计算方法 | 第61页 |
| 5.1.2 晶体结构的确定和稳定性的判定 | 第61-65页 |
| 5.1.3 相变机制 | 第65-66页 |
| 5.1.4 电子性质 | 第66-67页 |
| 5.1.5 机械性质 | 第67-69页 |
| 5.2 新型 FEB_4相的实验合成 | 第69-78页 |
| 5.2.1 试验方法 | 第70-71页 |
| 5.2.2 实验合成和晶体结构的确定 | 第71-75页 |
| 5.2.3 硬度和输运性能的测量 | 第75-78页 |
| 5.3 其他铁硼化合物的实验合成 | 第78-82页 |
| 5.3.1 实验方法 | 第78-79页 |
| 5.3.2 新型铁硼未知相的结果分析 | 第79-82页 |
| 5.4 本章小结 | 第82-84页 |
| 结论 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-99页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第99-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 作者简介 | 第102页 |