| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第8-10页 |
| 1.2 忆阻在存储和逻辑运算方面的应用 | 第10-13页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第13页 |
| 1.4 本文的内容安排 | 第13-15页 |
| 2 忆阻的基本性质与逻辑运算 | 第15-31页 |
| 2.1 忆阻的基本性质 | 第15-16页 |
| 2.2 忆阻的惠普模型和阈值模型 | 第16-19页 |
| 2.3 忆阻的 Simulink/Simscape 模型 | 第19-24页 |
| 2.4 忆阻的逻辑运算 | 第24-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 忆阻交叉阵列的读写及逻辑操作 | 第31-44页 |
| 3.1 交叉阵列漏电流对读写及逻辑运算的影响 | 第31-35页 |
| 3.2 交叉阵列读写操作与功耗分析 | 第35-39页 |
| 3.3 基于忆阻交叉阵列的复制与逻辑运算 | 第39-41页 |
| 3.4 仿真实验 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 4 忆阻-MOS 的存储与运算结构 | 第44-59页 |
| 4.1 1T1M 存储结构的读写 | 第44-45页 |
| 4.2 基于 1T1M 的复制与逻辑运算 | 第45-48页 |
| 4.3 3T2M1R 结构的相联存储器 | 第48-53页 |
| 4.4 仿真实验 | 第53-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 全文总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 全文总结 | 第59页 |
| 5.2 研究展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |