| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 记忆元件的提出 | 第10-12页 |
| 1.2 记忆元件的国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3 本文结构 | 第16-18页 |
| 第二章 忆阻器以及忆容器模型 | 第18-34页 |
| 2.1 忆阻器 | 第18-26页 |
| 2.1.1 忆阻器的定义 | 第18-19页 |
| 2.1.2 HP实验室忆阻器模型 | 第19-22页 |
| 2.1.3 忆阻器二阶模型 | 第22-24页 |
| 2.1.4 忆阻器三阶模型 | 第24-26页 |
| 2.2 忆容器 | 第26-33页 |
| 2.2.1 忆容器的定义 | 第26-27页 |
| 2.2.2 忆阻器转化成忆容器 | 第27-28页 |
| 2.2.3 基于二阶忆阻器的忆容器电路 | 第28-32页 |
| 2.2.4 基于三阶忆阻器的忆容器电路 | 第32-33页 |
| 2.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于忆容器的滤波电路研究 | 第34-39页 |
| 3.1 基于忆容器的RC低通滤波电路时域频域分析 | 第34-37页 |
| 3.2 基于忆容器的RC低通滤波电路实验分析 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 基于忆阻器的Duffing-van der Pol振荡电路 | 第39-59页 |
| 4.1 引言 | 第39-41页 |
| 4.2 同宿轨道下的Melnikov函数 | 第41-43页 |
| 4.3 基于忆阻器的Duffing-van der Pol电路 | 第43-59页 |
| 4.3.1 基于忆阻器的Duffing-van der Pol电路模型 | 第43-45页 |
| 4.3.2 无扰动Duffing-van der Pol系统同宿轨道方程 | 第45-48页 |
| 4.3.3 有扰动Duffing-van der Pol系统Melnikov函数 | 第48-52页 |
| 4.3.4 基于忆阻器的Duffing-van der Pol系统的动力学特性分析 | 第52-57页 |
| 4.3.5 基于忆阻器的Duffing-van der Pol电路仿真 | 第57-58页 |
| 4.3.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 本文总结 | 第59-60页 |
| 5.2 展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间论文发表情况 | 第68页 |
