| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 纳米晶材料概述 | 第11-13页 |
| 1.1.1 纳米晶材料的微观结构 | 第11-12页 |
| 1.1.2 纳米晶材料的特性 | 第12-13页 |
| 1.1.3 纳米晶材料的制备 | 第13页 |
| 1.2 电沉积法制备纳米晶材料 | 第13-16页 |
| 1.2.1 实验原理 | 第13页 |
| 1.2.2 工艺参数的影响 | 第13-15页 |
| 1.2.3 电沉积纳米晶材料性能 | 第15-16页 |
| 1.3 电沉积法制备纳米晶Ni的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.4 选题意义及研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 实验制备与理论研究 | 第21-29页 |
| 2.1 电沉积法制备纳米晶Ni | 第21-23页 |
| 2.1.1 实验设备及材料 | 第21-22页 |
| 2.1.2 镀液配置及镀前处理 | 第22-23页 |
| 2.1.3 制备过程 | 第23页 |
| 2.2 分析与表征 | 第23-25页 |
| 2.2.1 组织结构分析 | 第24页 |
| 2.2.2 性能测试方法 | 第24-25页 |
| 2.3 理论计算 | 第25-29页 |
| 2.3.1 密度泛函理论(DFT) | 第25-27页 |
| 2.3.2 计算性能及参数设置 | 第27-29页 |
| 第三章 工艺参数对纳米晶Ni的影响 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 显微结构分析 | 第29-31页 |
| 3.3 电流密度的影响 | 第31-34页 |
| 3.3.1 电流密度对沉积速度的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2 电流密度对结晶取向的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.3 电流密度对晶粒尺寸的影响 | 第33页 |
| 3.3.4 电流密度对显微硬度的影响 | 第33-34页 |
| 3.4 糖精浓度的影响 | 第34-38页 |
| 3.4.1 糖精浓度对沉积速度的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.2 糖精浓度对结晶取向的影响 | 第35-36页 |
| 3.4.3 糖精浓度对晶粒尺寸的影响 | 第36-37页 |
| 3.4.4 糖精浓度对显微硬度的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.5 糖精浓度对残余应力的影响 | 第38页 |
| 3.5 宽晶粒尺寸分布的参数选择 | 第38-39页 |
| 3.6 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 纳米晶Ni热稳定性的研究 | 第41-49页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 不同晶粒尺寸纳米晶Ni的DSC曲线分析 | 第41-42页 |
| 4.3 退火温度对纳米晶Ni的影响 | 第42-46页 |
| 4.3.1 退火温度对结晶取向的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.2 退火温度对晶粒尺寸的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.3 退火温度对显微硬度的影响 | 第45-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-49页 |
| 第五章 N、O、P、S掺入Ni块体后结构稳定性及S的扩散行为 | 第49-65页 |
| 5.1 引言 | 第49页 |
| 5.2 不同杂质(N、O、P、S)对Ni结构稳定性的影响 | 第49-56页 |
| 5.2.1 晶胞结构及计算方法 | 第49-51页 |
| 5.2.2 不同固溶体系(N、O、P、S)热力学性质分析 | 第51-53页 |
| 5.2.3 不同固溶体系(N、O、P、S)的电子特性 | 第53-56页 |
| 5.3 应力对S在Ni中稳定性和扩散行为的影响 | 第56-63页 |
| 5.3.1 S占位的影响 | 第56-58页 |
| 5.3.2 S含量的影响 | 第58-59页 |
| 5.3.3 应力对S在Ni中稳定性的影响 | 第59-61页 |
| 5.3.4 应力对S在Ni中扩散行为的影响 | 第61-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 结论与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 结论 | 第65-66页 |
| 6.2 前景与展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第75页 |
