| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-40页 |
| 1.1 拓扑绝缘体概述 | 第13-23页 |
| 1.2 磁性掺杂三维拓扑绝缘体 | 第23-34页 |
| 1.3 三维拓扑绝缘体与磁性绝缘体异质结 | 第34-39页 |
| 1.4 本论文的内容和结构安排 | 第39-40页 |
| 第2章 实验技术与原理 | 第40-54页 |
| 2.1 分子束外延系统原理介绍 | 第40-50页 |
| 2.1.1 MBE仪器搭建介绍 | 第40-42页 |
| 2.1.2 超高真空技术 | 第42-46页 |
| 2.1.3 分子束外延技术 | 第46-47页 |
| 2.1.4 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第47-50页 |
| 2.2 低温实验技术 | 第50-54页 |
| 2.2.1 ~4He制冷机 | 第51-52页 |
| 2.2.2 ~3He制冷机 | 第52-54页 |
| 第3章 样品制备与输运表征 | 第54-69页 |
| 3.1 在Si(111)衬底上生长Bi_2Se_3薄膜 | 第54-58页 |
| 3.1.1 Si(111)衬底处理方法 | 第54-55页 |
| 3.1.2 Bi_2Se_3/Si(111)样品生长 | 第55-58页 |
| 3.2 在STO(111)衬底上生长Bi_2Se_3、(Bi,Sb)_2Te_3薄膜 | 第58-64页 |
| 3.2.1 STO(111)衬底处理方法 | 第59-61页 |
| 3.2.2 Bi_2Se_3/STO(111)样品生长 | 第61-63页 |
| 3.2.3 (Bi,Sb)_2Te_3/STO(111)样品生长 | 第63-64页 |
| 3.3 器件制备与输运表征 | 第64-69页 |
| 3.3.1 STO衬底的电容特性 | 第64-66页 |
| 3.3.2 器件制备与相关输运性质 | 第66-69页 |
| 第4章 Mn掺杂Bi_2Se_3薄膜的电子输运性质研究 | 第69-100页 |
| 4.1 研究背景与动机 | 第69-74页 |
| 4.1.1 磁掺杂拓扑绝缘体 | 第69-73页 |
| 4.1.2 反常霍尔效应 | 第73-74页 |
| 4.2 (Bi_(1-x)Mn_x)_2Se_3薄膜的制备与表征 | 第74-76页 |
| 4.3 (Bi_(1-x)Mn_x)_2Se_3薄膜的反常霍尔效应 | 第76-80页 |
| 4.3.1 非线性的普通霍尔效应 | 第77-78页 |
| 4.3.2 反常霍尔电阻的提取 | 第78-80页 |
| 4.4 双分量霍尔电导的分离过程 | 第80-84页 |
| 4.4.1 方法一 | 第81-82页 |
| 4.4.2 方法二 | 第82-83页 |
| 4.4.3 两种方法的结果对比 | 第83-84页 |
| 4.5 (Bi_(1-x)Mn_x)_2Se_3薄膜的磁有序研究 | 第84-90页 |
| 4.5.1 反常霍尔效应的栅压调控 | 第84-88页 |
| 4.5.2 体态和表面态的铁磁序 | 第88-90页 |
| 4.6 双分量反常霍尔效应机制讨论 | 第90-95页 |
| 4.6.1 有质量狄拉克费米子模型修正 | 第91-92页 |
| 4.6.2 非磁共振散射与表面铁磁序的竞争 | 第92-94页 |
| 4.6.3 可能存在的奇异自旋织构 | 第94-95页 |
| 4.7 磁电导性质研究 | 第95-99页 |
| 4.8 本章小结 | 第99-100页 |
| 第5章 MnSe/TI异质结的制备及其输运性质研究 | 第100-119页 |
| 5.1 研究背景与动机 | 第100-104页 |
| 5.2 MnSe/TI异质结的制备与结构表征 | 第104-107页 |
| 5.3 MnSe/TI异质结的输运性质研究 | 第107-118页 |
| 5.3.1 MnSe/Bi_2Se_3基本输运特征 | 第108-109页 |
| 5.3.2 MnSe/(Bi_(0.3)Sb_(0.7))_2Te_3的输运性质研究 | 第109-113页 |
| 5.3.3 MnSe/(Bi_(0.5)Sb_(0.5))_2Te_3的输运性质研究 | 第113-118页 |
| 5.4 本章小结 | 第118-119页 |
| 第6章 总结与展望 | 第119-121页 |
| 参考文献 | 第121-138页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第138-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
