| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·Flash存储器的基本结构及工作原理 | 第9-13页 |
| ·Flash存储器的基本结构 | 第10-11页 |
| ·Flash存储器的编程和擦除机制 | 第11-12页 |
| ·传统的Flash存储单元存在的缺点 | 第12-13页 |
| ·金属纳米晶存储器的工作原理及金属纳米晶的制备方法 | 第13-17页 |
| ·金属纳米晶存储器的工作原理 | 第13-14页 |
| ·金属纳米晶的大小和分布要求 | 第14-15页 |
| ·金属纳米晶的制备方法 | 第15-17页 |
| ·SONOS存储器的结构及其工作原理 | 第17-18页 |
| ·SONOS存储器的结构 | 第17-18页 |
| ·SONOS存储器的工作原理 | 第18页 |
| ·SONOS和金属纳米晶存储器的性能优化 | 第18-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第二章 基于Ru-RuO_x复合纳米晶和Al_2O_3介质的MOS电容存储效应研究 | 第23-41页 |
| ·前言 | 第23-24页 |
| ·实验方案 | 第24-25页 |
| ·Ru-RuO_x复合金属纳米晶的制备 | 第24页 |
| ·Ru-RuO_x复合纳米晶存储电容的制备 | 第24-25页 |
| ·实验结果及讨论 | 第25-40页 |
| ·退火条件对Ru-RuO_x复合纳米晶生长的影响 | 第25-28页 |
| ·Ru-RuO_x复合纳米晶的成份分析 | 第28-31页 |
| ·Ru-RuO_x复合纳米晶的MOS电容存储效应 | 第31-33页 |
| ·不同隧穿层/阻挡层厚度比对MOS电容存储性能的影响 | 第33-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 基于High-k介质HfO_2、HfAlO电荷俘获层的MOS电容存储效应研究 | 第41-51页 |
| ·前言 | 第41页 |
| ·实验方案 | 第41-43页 |
| ·实验结果及讨论 | 第43-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 基于Ru-RuO_x纳米晶/High-k介质复合电荷俘获层MOS电容存储效应研究 | 第51-64页 |
| ·前言 | 第51-52页 |
| ·实验方案 | 第52-53页 |
| ·实验结果及讨论 | 第53-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 研究总结及展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 硕士阶段发表的学术论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
