| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第16-38页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 磁控溅射技术 | 第17-21页 |
| 1.2.1 磁控溅射技术原理 | 第17-19页 |
| 1.2.2 电离化磁控溅射技术 | 第19-21页 |
| 1.3 高功率脉冲磁控溅射技术 | 第21-33页 |
| 1.3.1 HIPIMS的放电特性 | 第22-27页 |
| 1.3.2 HIPIMS的技术优势 | 第27-29页 |
| 1.3.3 HIPIMS存在的问题 | 第29-31页 |
| 1.3.4 复合HIPIMS的发展 | 第31-33页 |
| 1.4 铝合金表面改性技术 | 第33-35页 |
| 1.5 钒膜制备的研究现状 | 第35-36页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第36-38页 |
| 第2章 电-磁场复合增强HIPIMS技术及研究方法 | 第38-48页 |
| 2.1 电-磁场复合增强HIPIMS技术 | 第38-42页 |
| 2.1.1 V膜制备工艺探索 | 第38-41页 |
| 2.1.2 电-磁场复合增强HIPIMS技术原理 | 第41页 |
| 2.1.3 电-磁场复合增强HIPIMS技术实验装置 | 第41-42页 |
| 2.2 试验材料 | 第42页 |
| 2.3 实验工艺 | 第42-46页 |
| 2.3.1 放电等离子体特性测试 | 第42-43页 |
| 2.3.2 等离子体发射光谱诊断 | 第43-45页 |
| 2.3.3 V膜制备工艺 | 第45-46页 |
| 2.4 膜层分析测试方法 | 第46-48页 |
| 2.4.1 X-射线衍射分析 | 第46页 |
| 2.4.2 X-射线光电子能谱分析 | 第46页 |
| 2.4.3 光学显微镜观察 | 第46页 |
| 2.4.4 原子力显微镜观察 | 第46页 |
| 2.4.5 扫描电子显微镜观察 | 第46-47页 |
| 2.4.6 膜基结合力的压痕测试 | 第47页 |
| 2.4.7 摩擦磨损性能测试 | 第47页 |
| 2.4.8 电化学腐蚀性能测试 | 第47-48页 |
| 第3章 电场增强HIPIMS放电等离子体特性 | 第48-78页 |
| 3.1 不同附加电极特性时基体离子电流演化规律 | 第48-56页 |
| 3.1.1 附加电极电压的影响 | 第48-53页 |
| 3.1.2 附加电极位置的影响 | 第53-55页 |
| 3.1.3 磁控附加电极的影响 | 第55-56页 |
| 3.2 工艺参数对基体离子电流的影响 | 第56-62页 |
| 3.2.1 工作气压的影响 | 第56-58页 |
| 3.2.2 靶基间距的影响 | 第58-60页 |
| 3.2.3 HIPIMS脉冲频率的影响 | 第60-61页 |
| 3.2.4 HIPIMS脉冲宽度的影响 | 第61-62页 |
| 3.3 电场增强HIPIMS系统等离子体分布特征 | 第62-66页 |
| 3.3.1 矩形平面状电极 | 第62-65页 |
| 3.3.2 圆柱状电极 | 第65-66页 |
| 3.4 电场增强HIPIMS放电光谱特性 | 第66-71页 |
| 3.4.1 电极电压对光谱强度的影响 | 第67页 |
| 3.4.2 电极位置对光谱强度的影响 | 第67-71页 |
| 3.5 电场增强HIPIMS放电机理 | 第71-76页 |
| 3.6 本章小结 | 第76-78页 |
| 第4章 磁场增强HIPIMS放电等离子体特性 | 第78-97页 |
| 4.1 不同励磁电流时基体离子电流演化规律 | 第78-81页 |
| 4.2 工艺参数对基体离子电流的影响 | 第81-88页 |
| 4.2.1 工作气压的影响 | 第81-83页 |
| 4.2.2 基体偏压的影响 | 第83页 |
| 4.2.3 靶基间距的影响 | 第83-85页 |
| 4.2.4 HIPIMS脉冲频率的影响 | 第85-87页 |
| 4.2.5 HIPIMS脉冲宽度的影响 | 第87-88页 |
| 4.3 磁场增强HIPIMS系统等离子体分布特征 | 第88-91页 |
| 4.3.1 矩形平面状电极 | 第88页 |
| 4.3.2 圆柱状电极 | 第88-91页 |
| 4.4 磁场增强HIPIMS放电光谱特性 | 第91-93页 |
| 4.5 磁场增强HIPIMS放电机理 | 第93-96页 |
| 4.6 本章小结 | 第96-97页 |
| 第5章 电-磁场复合增强HIPIMS放电等离子体特性 | 第97-119页 |
| 5.1 不同外场增强HIPIMS放电等离子体特性 | 第97-105页 |
| 5.2 电、磁场工艺参数对基体离子电流的影响 | 第105-109页 |
| 5.2.1 电极电压的影响 | 第105-106页 |
| 5.2.2 电极位置的影响 | 第106页 |
| 5.2.3 励磁电流的影响 | 第106-109页 |
| 5.3 电-磁场复合增强HIPIMS系统等离子体分布特征 | 第109-112页 |
| 5.3.1 矩形平面状电极 | 第109-110页 |
| 5.3.2 圆柱状电极 | 第110-112页 |
| 5.4 电-磁场复合增强HIPIMS放电光谱特性 | 第112-116页 |
| 5.5 电-磁场复合增强HIPIMS放电机理 | 第116-118页 |
| 5.6 本章小结 | 第118-119页 |
| 第6章 电-磁场复合增强HIPIMS制备V膜的结构及性能 | 第119-150页 |
| 6.1 V膜的相结构及化学态组分 | 第119-123页 |
| 6.2 V膜的表面形貌及表面粗糙度 | 第123-130页 |
| 6.2.1 电极电压的影响 | 第126-128页 |
| 6.2.2 励磁电流的影响 | 第128-130页 |
| 6.3 V膜的截面形貌及沉积速率 | 第130-136页 |
| 6.3.1 电极电压的影响 | 第133-135页 |
| 6.3.2 励磁电流的影响 | 第135-136页 |
| 6.4 V膜的膜基结合力 | 第136-137页 |
| 6.5 V膜的耐摩擦磨损性能 | 第137-140页 |
| 6.5.1 电极电压的影响 | 第138-139页 |
| 6.5.2 励磁电流的影响 | 第139-140页 |
| 6.6 V膜的耐腐蚀性能 | 第140-146页 |
| 6.6.1 电极电压的影响 | 第142-143页 |
| 6.6.2 励磁电流的影响 | 第143-146页 |
| 6.7 V膜的高温性能 | 第146-147页 |
| 6.8 本章小结 | 第147-150页 |
| 结论 | 第150-152页 |
| 论文创新点 | 第152-153页 |
| 参考文献 | 第153-165页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其它成果 | 第165-167页 |
| 致谢 | 第167-168页 |
| 个人简历 | 第168页 |
