| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·研究的目的和意义 | 第7-8页 |
| ·研究的背景 | 第8-9页 |
| ·主要的研究工作 | 第9-11页 |
| 第二章 光导开关的工作原理及材料特性 | 第11-23页 |
| ·光导开关的基本原理与结构 | 第11-14页 |
| ·基本工作原理 | 第11-12页 |
| ·光导开关的结构分类 | 第12-13页 |
| ·光导开关的应用前景 | 第13-14页 |
| ·光导开关的材料特性及材料选取 | 第14-17页 |
| ·材料参数对光导开关性能的影响 | 第14-15页 |
| ·不同材料光导开关的差异及存在问题 | 第15-17页 |
| ·对半绝缘SiC 材料的研究 | 第17-22页 |
| ·高纯本征半绝缘SiC | 第17-19页 |
| ·离子轰击产生深能级陷阱 | 第19-21页 |
| ·掺入深能级杂质补偿载流子 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 SiC 光导开关的模型建立与模拟仿真 | 第23-41页 |
| ·SiC 光导开关器件模型的建立 | 第23-24页 |
| ·SiC 光导开关仿真平台简介 | 第23-24页 |
| ·SiC 光导开关器件模型的建立 | 第24页 |
| ·暗态特性的研究 | 第24-25页 |
| ·脉冲光触发的瞬态特性研究 | 第25-33页 |
| ·陷阱浓度对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 | 第26-29页 |
| ·入射光波长对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 | 第29-30页 |
| ·入射光能功率密度对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 | 第30-32页 |
| ·外加偏置电压对SiC-PCSS 瞬态特性的影响 | 第32-33页 |
| ·大模型尺寸的SiC 光导开关的研究 | 第33-38页 |
| ·模型结构的建立 | 第34页 |
| ·工作特性的仿真验证 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-41页 |
| 第四章 制备工艺及相关测试 | 第41-51页 |
| ·SiC-PCSS 存在的问题 | 第41-46页 |
| ·欧姆接触电极 | 第41-42页 |
| ·关断特性 | 第42-43页 |
| ·存在的其它问题 | 第43-45页 |
| ·非本征光电导的SiC 光导开关 | 第45-46页 |
| ·器件的工艺流程与测试设计 | 第46-48页 |
| ·工艺流程设计 | 第46-47页 |
| ·测试电路与测试规划 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |