摘要 | 第3-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-25页 |
1.1 多金属氧酸盐化学 | 第12-14页 |
1.1.1 多金属氧酸盐概述 | 第12页 |
1.1.2 Keggin型多金属氧酸盐及其一取代化合物 | 第12-14页 |
1.2 介孔TiO_2的合成 | 第14-15页 |
1.3 TiO_2负载型多金属氧酸盐体系及其负载方法 | 第15-17页 |
1.4 TiO_2负载型多金属氧酸盐的光催化性能 | 第17-18页 |
1.4.1 TiO_2的光催化性能 | 第17页 |
1.4.2 TiO_2负载型多金属氧酸盐的光催化性能 | 第17-18页 |
1.5 本论文的指导思想 | 第18-20页 |
参考文献 | 第20-25页 |
第二章 介孔TiO_2的合成和TBAPW_(11)/TiO_2介孔杂化材料的直接合成 | 第25-40页 |
第一节 介孔TiO_2在乙腈介质中的合成及表征 | 第25-33页 |
2.1 实验部分 | 第26页 |
2.1.1 介孔TiO_2的合成 | 第26页 |
2.1.2 样品表征 | 第26页 |
2.2 结果与讨论 | 第26-33页 |
2.2.1 乙腈与乙醇作溶剂的比较 | 第26-29页 |
2.2.2 不同合成条件的影响 | 第29-33页 |
第二节 TBAPW_(11)/TiO_2介孔杂化材料的一次合成 | 第33-37页 |
2.1 实验部分 | 第33-34页 |
2.1.1 样品合成 | 第33-34页 |
2.1.2 样品表征 | 第34页 |
2.2 结果与讨论 | 第34-37页 |
2.2.1 TBAPW_(11)/TiO_2杂化材料的合成及表征 | 第34-37页 |
本章小结 | 第37-38页 |
参考文献 | 第38-40页 |
第三章 二次嫁接法合成多金属氧酸盐/介孔TiO_2杂化材料 | 第40-71页 |
第一节 焙烧脱模的TiO_2和乙醇回流脱模的TiO_2嫁接多金属氧酸盐 | 第40-59页 |
3.1 实验部分 | 第40-43页 |
3.1.1 样品合成 | 第40-42页 |
3.1.2 样品表征 | 第42-43页 |
3.2 结果与讨论 | 第43-59页 |
3.2.1 母体TiO_2的表征 | 第43-46页 |
3.2.2 焙烧脱模母体嫁接POM | 第46-48页 |
3.2.3 回流脱模母体嫁接多金属氧酸盐 | 第48-59页 |
3.2.3.1 回流脱模母体嫁接NaPW_(11) | 第48-54页 |
3.2.3.1.1 样品的合成及其表征 | 第48-53页 |
3.2.3.1.2 关于嫁接机理的讨论 | 第53-54页 |
3.2.3.2 回流脱模母体嫁接TBAPW_(11)Si_2 | 第54-59页 |
3.2.3.2.1 样品的合成及其表征 | 第54-57页 |
3.2.3.2.2 关于嫁接机理的讨论 | 第57-59页 |
第二节 未脱模的TiO_2嫁接NaPW_(11) | 第59-69页 |
3.1 实验部分 | 第59-60页 |
3.1.1 样品合成 | 第59-60页 |
3.1.2 样品表征 | 第60页 |
3.2 结果与讨论 | 第60-69页 |
3.2.1 样品的合成及表征 | 第60-66页 |
3.2.1.1 不同NaPW_(11)用量的影响 | 第60-64页 |
3.2.1.2 不同键联温度的影响 | 第64-66页 |
3.2.2 关于嫁接机理的讨论 | 第66-69页 |
本章小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-71页 |
第四章 多金属氧酸盐/介孔TiO_2杂化材料的光催化性能 | 第71-81页 |
4.1 实验部分 | 第71-72页 |
4.1.1 实验样品 | 第71页 |
4.1.2 光催化性能测试 | 第71-72页 |
4.2 结果与讨论 | 第72-79页 |
4.2.1 甲基橙降解过程中的紫外—可见光谱 | 第72-73页 |
4.2.2 纯介孔TiO_2对甲基橙的光催化降解性能 | 第73-74页 |
4.2.3 POM/TiO_2杂化材料对甲基橙的光催化降解性能 | 第74-76页 |
4.2.3.1 NaPW_(11)/TiO_2(e)样品 | 第74页 |
4.2.3.2 NaPW_(11)/TiO_2(uc)样品 | 第74-75页 |
4.2.3.3 TBAPW_(11)Si_2/TiO_2(e)样品 | 第75-76页 |
4.2.4 不同催化剂样品的光催化性能比较 | 第76-77页 |
4.2.5 催化剂样品的重复使用 | 第77-79页 |
本章小结 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-81页 |
硕士期间发表与待发表论文 | 第81-82页 |
致谢 | 第82页 |