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电控全息光开关理论及KLTN晶体光学性能分析

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
第一章 绪论第9-14页
    1.1 光开关研究意义及各类光开关第9-10页
    1.2 电控全息光开关国内外研究发展状况第10-11页
    1.3 电控全息记录介质-KLTN晶体的国内外研究状况第11-12页
    1.4 课题来源和本文的主要工作第12-14页
第二章 电控全息光交换机理及光交换技术第14-27页
    2.1 晶体的二次电光效应第14-19页
    2.2 电控全息的物理机理第19页
    2.3 光折变效应第19-22页
        2.3.1 光折变效应的物理机理第19-20页
        2.3.2 带输运模型及空间电荷场第20-22页
    2.4 电控全息图的写入和读出第22-25页
        2.4.1 体全息图的Bragg选择性第22-24页
        2.4.2 电控全息图的读出第24-25页
    2.5 电控全息光交换技术第25-26页
    2.6 小结第26-27页
第三章 电控全息记录介质及其光学性能分析第27-43页
    3.1 顺电相钽铌酸钾锂(KLTN)晶体第27-28页
    3.2 顺电相KLTN晶体空间电荷场E_(sc)的分析第28-34页
        3.2.1 空间电荷场E_(sc)与掺杂浓度N_D的关系第28-31页
        3.2.2 空间电荷场E_(sc)与光栅周期∧的关系第31-32页
        3.2.3 空间电荷场E_(sc)与外电场E_(0w)的关系第32-33页
        3.2.4 空间电荷场E_(sc)与居里温度T_c的关系第33-34页
    3.3 二次电光晶体的有效电光系数第34-38页
        3.3.1 有效电光系数计算第34-36页
        3.3.2 有效电光系数分析第36-38页
    3.4 顺电相KLTN晶体折射率调制度分析第38-42页
        3.4.1 折射率调制度△_n与掺杂浓度N_D的关系第38-39页
        3.4.2 折射率调制度△_n与居里温度T_c的关系第39-41页
        3.4.3 折射率调制度△_n与读出外电场E_(0r)的关系第41-42页
    3.5 小结第42-43页
第四章 顺电相KLTN晶体光学性能测试第43-96页
    4.1 引言第43-44页
    4.2 数字全息基本理论第44-49页
        4.2.1 数字全息图的记录与再现第44-46页
        4.2.2 数字全息图干涉第46-49页
    4.3 折射率及透过率的测量第49-51页
        4.3.1 实验光路系统搭建第49页
        4.3.2 折射率和透过率测量第49-51页
    4.4 折射率变化量△_n的实验测量第51-92页
        4.4.1 TE模式时的折射率变化量△_n第55-74页
        4.4.2 TM模式时的折射率变化量△_n第74-92页
    4.5 二次电光晶体的有效电光系数测量第92-95页
    4.6 小结第95-96页
第五章 电控全息光开关的设计及分析第96-102页
    5.1 参数计算第96-97页
    5.2 衍射效率分析第97-101页
    5.3 小结第101-102页
第六章 总结与展望第102-104页
    6.1 论文研究成果第102-103页
    6.2 论文研究工作的进一步展望第103-104页
参考文献第104-110页
发表论文和参加科研情况说明第110-111页
致谢第111-112页

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