摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-14页 |
1.1 光开关研究意义及各类光开关 | 第9-10页 |
1.2 电控全息光开关国内外研究发展状况 | 第10-11页 |
1.3 电控全息记录介质-KLTN晶体的国内外研究状况 | 第11-12页 |
1.4 课题来源和本文的主要工作 | 第12-14页 |
第二章 电控全息光交换机理及光交换技术 | 第14-27页 |
2.1 晶体的二次电光效应 | 第14-19页 |
2.2 电控全息的物理机理 | 第19页 |
2.3 光折变效应 | 第19-22页 |
2.3.1 光折变效应的物理机理 | 第19-20页 |
2.3.2 带输运模型及空间电荷场 | 第20-22页 |
2.4 电控全息图的写入和读出 | 第22-25页 |
2.4.1 体全息图的Bragg选择性 | 第22-24页 |
2.4.2 电控全息图的读出 | 第24-25页 |
2.5 电控全息光交换技术 | 第25-26页 |
2.6 小结 | 第26-27页 |
第三章 电控全息记录介质及其光学性能分析 | 第27-43页 |
3.1 顺电相钽铌酸钾锂(KLTN)晶体 | 第27-28页 |
3.2 顺电相KLTN晶体空间电荷场E_(sc)的分析 | 第28-34页 |
3.2.1 空间电荷场E_(sc)与掺杂浓度N_D的关系 | 第28-31页 |
3.2.2 空间电荷场E_(sc)与光栅周期∧的关系 | 第31-32页 |
3.2.3 空间电荷场E_(sc)与外电场E_(0w)的关系 | 第32-33页 |
3.2.4 空间电荷场E_(sc)与居里温度T_c的关系 | 第33-34页 |
3.3 二次电光晶体的有效电光系数 | 第34-38页 |
3.3.1 有效电光系数计算 | 第34-36页 |
3.3.2 有效电光系数分析 | 第36-38页 |
3.4 顺电相KLTN晶体折射率调制度分析 | 第38-42页 |
3.4.1 折射率调制度△_n与掺杂浓度N_D的关系 | 第38-39页 |
3.4.2 折射率调制度△_n与居里温度T_c的关系 | 第39-41页 |
3.4.3 折射率调制度△_n与读出外电场E_(0r)的关系 | 第41-42页 |
3.5 小结 | 第42-43页 |
第四章 顺电相KLTN晶体光学性能测试 | 第43-96页 |
4.1 引言 | 第43-44页 |
4.2 数字全息基本理论 | 第44-49页 |
4.2.1 数字全息图的记录与再现 | 第44-46页 |
4.2.2 数字全息图干涉 | 第46-49页 |
4.3 折射率及透过率的测量 | 第49-51页 |
4.3.1 实验光路系统搭建 | 第49页 |
4.3.2 折射率和透过率测量 | 第49-51页 |
4.4 折射率变化量△_n的实验测量 | 第51-92页 |
4.4.1 TE模式时的折射率变化量△_n | 第55-74页 |
4.4.2 TM模式时的折射率变化量△_n | 第74-92页 |
4.5 二次电光晶体的有效电光系数测量 | 第92-95页 |
4.6 小结 | 第95-96页 |
第五章 电控全息光开关的设计及分析 | 第96-102页 |
5.1 参数计算 | 第96-97页 |
5.2 衍射效率分析 | 第97-101页 |
5.3 小结 | 第101-102页 |
第六章 总结与展望 | 第102-104页 |
6.1 论文研究成果 | 第102-103页 |
6.2 论文研究工作的进一步展望 | 第103-104页 |
参考文献 | 第104-110页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第110-111页 |
致谢 | 第111-112页 |