| 中文摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| 1.1 选题背景和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 金属氧化物气敏传感器 | 第9-10页 |
| 1.3 金属氧化物半导体材料气敏机理 | 第10-12页 |
| 1.4 氧化钨气敏传感器研究进展 | 第12-17页 |
| 1.4.1 气敏传感器发展现状及存在问题 | 第12-14页 |
| 1.4.2 一维氧化钨纳米线的制备方法 | 第14-16页 |
| 1.4.3 氧化钨纳米线气敏研究进展 | 第16-17页 |
| 1.5 本课题主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验原料和测试方法 | 第18-28页 |
| 2.1 实验用原材料和试剂 | 第18-19页 |
| 2.2 样品制备 | 第19-23页 |
| 2.2.1 氧化钨纳米线的制备 | 第19-20页 |
| 2.2.2 掺杂氧化钨纳米线的制备 | 第20-21页 |
| 2.2.3 氧化钨纳米线气敏元件的制备 | 第21-23页 |
| 2.3 材料微观结构表征 | 第23页 |
| 2.4 气敏性能测试 | 第23-28页 |
| 2.4.1 气敏性能参数与表征 | 第23-25页 |
| 2.4.2 气敏性能测试方法 | 第25-26页 |
| 2.4.3 气敏性能测试系统 | 第26-28页 |
| 第三章 化学合成掺杂氧化钨纳米线及其 NO_2敏感性能研究 | 第28-49页 |
| 3.1 纯净氧化钨纳米线及其 NO_2敏感性能研究 | 第28-30页 |
| 3.2 钒合成掺杂氧化钨纳米线及其 NO_2气敏性能研究 | 第30-38页 |
| 3.2.1 掺杂纳米线的结构表征 | 第30-34页 |
| 3.2.2 气敏性能研究与分析 | 第34-38页 |
| 3.3 铜合成掺杂氧化钨纳米线及其 NO_2气敏性能研究 | 第38-45页 |
| 3.3.1 掺杂纳米线的结构表征 | 第38-40页 |
| 3.3.2 气敏性能研究与分析 | 第40-45页 |
| 3.4 钒铜化学合成掺杂纳米线气敏性能比较 | 第45-46页 |
| 3.5 钒铜化学合成掺杂纳米线气敏机理分析 | 第46-49页 |
| 第四章 物理浸渍掺杂氧化钨纳米线的室温 NO_2气敏性能 | 第49-60页 |
| 4.1 钒浸渍掺杂氧化钨纳米线的气敏性能研究 | 第49-53页 |
| 4.1.1 掺杂纳米线的结构表征 | 第49-51页 |
| 4.1.2 气敏性能研究与分析 | 第51-53页 |
| 4.2 铜浸渍掺杂氧化钨纳米线的气敏性能研究 | 第53-60页 |
| 4.2.1 掺杂纳米线的结构表征 | 第53-56页 |
| 4.2.2 气敏性能研究与分析 | 第56-58页 |
| 4.2.3 钒铜浸渍掺杂纳米线气敏性能比较 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
